Проектирование принципиальной схемы устройства вычисляющего экспоненциальную функцию EXP(x), страница 8

Наименование микросхемы

параметры

КР1533КП14

Четырехразрядный селектор  с тремя устойчивыми состояниями

t_{зд.рас.SE-DO} = 22 нс

t_{зд.рас.DI-DO} = 12 нс

I_пот = 12 мА

КР1533 ИР13

Восьмиразрядный реверсивный сдвиговый регистр

t_{зд.рас.С-DO} = 22 нс

t_{зд.рас.R-DO} = 25 нс

t _c і , не менее 20 нс

t _R і , не менее 20 нс

I_пот = 40 мА

Таблица истинности :

Загрузка           S0=H, S1=H, C= фронт

Сдвиг вправо   S0=H, S1=L, C= фронт

КР1533ИР35

Восьмиразрядный регистр на триггерах D- типа с тремя состояниями на выходе

t_{зд.рас.С-DO} = 16 нс

t _C і, не менее 14 нс

t _{ПУ D}ⁱ , не менее  10 нс

I_пот = 28 мА

КР1533ИП3

Арифметико-логическое устройство

t_{зд.рас.DI-G,P} = 34 нс

t_{зд.рас.DI-F} = 32 нс

I_пот = 22 Ма

Таблица истинности :

КР1533ИП4

Схема ускоренного переноса для АЛУ

t_{зд.рас.G,P-DO} = 32 нс

I_пот = 15 мА

КР1533ЛН1

Шесть элементов НЕ

t_зд.рас.= 11 нс

I_пот = 4,2 мА

КР1533ИЕ7

Четырехразрядный двоичный реверсивный счётчик

t_{зд.рас.+1,-1-DO} = 19 нс

t_{зд.рас.С-DO} = 30 нс

t_{зд.рас.R-DO} = 17 нс

t_{зд.рас.+1-CR} = 18 нс

t_{зд.рас.-1-BR} = 18 нс

t _C і , не менее 20 нс

t _R і , не менее 10 нс

t _+1,-1 і , не менее 16.5 нс

t_пуDI і , не менее 20  нс

I_пот = 22 мА

Таблица истинности :

установка в состояние ‘0’  R=H, C=X

запись информации           R=L, C=L

счёт прямой       +1= фронт,  -1=H

 счёт обратный    +1=H,         -1= фронт

КР1533 ЛЕ1

Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ 

t_зд.рас. = 12 нс

I_пот = 2.2 мА

КР1533ЛА2

Логический элемент 8И-НЕ 

t_зд.рас. = 12 нс

I_пот = 0.9 мА

КР1533ТМ2

КР1533ТМ2

t_{зд.рас.S,R-DO} = 15 нс

t_{зд.рас.C} = 18 нс

t_пуDI і , не менее 15  нс

I_пот = 4 мА

КР1533 АП14

Восьмиканальный двунаправленный формирователь с тремя состояниями

I_пот = 15 мА

К556РТ18

ПЗУ ёмкостью 2Кx8 с тремя состояниями на выходе

t_{выборки} = 60 нс

P_пот = 950 мВт

К155 РЕ3

ПЗУ ёмкостью 32x8 с открытым коллектором на выходе

t_{выборки} = 50 нс

I_пот = 110 мА