Электрохимический метод изготовления печатной платы при химическом способе получения рисунка

Страницы работы

Фрагмент текста работы

 


Содержание

          1.Схема электрическая принципиальная . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2

          2.Реконфигурация схемы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2

3.Схема трассировки печатной платы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

          4 Схема компоновки . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

5 Таблица элементов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4

6 Эскизы элементов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

7 Расчет геометрических параметров. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

7.1 Расчет с учетом способа изготовления. . . . . . . . . . . . . . . . .6

7.2 Общий расчет. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

8 Расчет помехозащищенности. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

9 Тепловой расчет микросхемы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

9.1 Определение температуры корпуса. . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

9.2 Определение температуры нагретой зоны. . . . . . . . . . . . . 12

9.3 Расчет температуры поверхности микросхемы. . . . . . . . . 15

10 Описание технологии изготовления. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16

11 Список литературы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

 


1 Схема электрическая принципиальная

2 Реконфигурация схемы

3 Схема трассировки печатной платы

4 Схема компоновки

5 Таблица элементов

Элемент

Тип

Обозначение

Размеры, mm 

Параметры

Кол-во

Резистор

МЛТ

R1,R2,R3,R6

l = 6,5

P=0,25 Вт

9

R8 - R 12

d =3,5

Umax=200 B   x=10%

Резистор

МЛТ

R5

l = 7

P=0,125 Вт

d = 5

Umax=200 B   x=10%

1

R=1 kОм

Резистор

СП2-66

R4, R7

l=9,5    d=13

P=0,5 Вт

b=5

Umax=400 B   x=10%

2

R=0 - 100 кОм

Транзистор

КТ315Г

VT2, VT4, VT5

l= 6      b=7

Ukmax=30 B

h=3

Ikmax=100 мА

3

P=150 мВт   f=100МГц

T=-15…+120

Транзистор

КТ816Б

VT1, VT3

l=11,1   b=7,8

Ukmax=10 B

h=2,8

Ikmax=50 мА

2

P=150 мВт   f=200МГц

T=-15…+120

Диод

КД209А

VD2

l=7        b=5

Imax=1500 мА

h=4,5

Umax.обр=50 B

1

Iобр=5 мкА  tотс=4 нс

Стабилитрон

КС186А

VD1, VD3

l=9        d=7

Iст=3…30 мА

2

L=15

Uст=10 В

Конденсатор

К50-6

C2

H=25

C=10 мкФ

1

D=14

U=16 B

Конденсатор

КМ-3

С1, С3

l=10

C1=47 нФ  С3=27 нФ

2

h=3

U=25 B

Микросхема

К554СА3А

DD2, DD3

l=22       b=7,5

Компаратор

2

h=5

Uпит=+15 В

Микросхема

К561ЛА9

DD1

l=19,5     b=7,5

3-3-И-НЕ

1

h=5

Uпит=+5 В

Светодиод

АЛ307А

HL1

l=4,7      d=5

Umax=12 B

1


6 Эскизы элементов


 

  

7 Расчет геометрических параметров

Найдем сумарные установочные площади Sмг, Sсг, Sкг;

где    мг -  малогабаритных элементов

          сг -  среднегабаритных элементов

          кг – крупногабаритных элементов.

          Sмг=283.26 мм2              Sсг=1025.68          мм2                   Sкг=476.25 мм2

          Площадь монтажной зоны для низкой плотности монтажа  

               Sм.н.= 4 Sмг +3 Sсг +1.5Sк =  3791.42 мм2

Площадь монтажной зоны для высокой плотности монтажа             

               Sм.в.= 2.5 Sмг +1.8 Sсг +1.2 Sк =  2634.52 мм2

I

Ki

1

6,16

2

5,74

3

5,33

4

4,91

               Коэффициент класса точности

          Выбираем 3-ий класс точности

          Плата изготовлена электрохимическим методом при фотохимическом способе получения рисунка.

          Материал платы – стеклотекстолит.

7.1 Расчет с учетом способа изготовления

          Определяем минимальную ширину печатного проводника по постоянному току для цепей питания и заземления где  Imax=500 мА – максимальный постоянный ток, протекающий в проводниках;  jдоп =52 А/mm2– допустимая плотность тока

t=35 мкм – толщина проводника.

bmin1=0.57 мм

Определяем минимальную ширину печатного проводника исходя из допустимого падения напряжения на нем

           

            где      p=0.050 Ом мм2/м – удельное объемное  сопротивление              

                    Uдоп=0.6 В-           допустимое падение напряжения ( 5% от питающего)

                    l=0.36 м – максимальная длина проводника

          bmin2=0.42 мм

          Определяем номинальное значение монтажных отверстий

          где    de=1 мм – максимальный диаметр вывода элементов

                    dно=0.05 – нижнее предельное отклонение

                    r=0.1 разница между минимальным диаметром отверстия и максимальным диаметром вывода

          d=1.3 мм

Рассчитаем диаметр контактных площадок

где     Dmin=2(bm+dmax/2+ δp + δd )

bm=0.035 – расстояние от края просверленного отверстия до края контактной площадки

δp и δd –допуски на расположение отверстий

dmax=1.3 – максимальный диаметр просверленного отверстия

b1min=0.18 мм

Dmin=1.96 мм

Макс. Диаметр контактной площадки Dmax= Dmin+0.04=2 мм

Определяем ширину проводников bmin= b1min +0.03 =0.21 мм

Максимальная ширина проводников bmax= bmin+0.06=0.27 мм.

Минимальное расстояние между проводником и контактной площадкой Smin1, между двумя контактными площадками Smin2, между двумя проводниками Smin3:

          где    L0=2.5 мм – расстояние между центрами элементов

                    δl=0.05 мм – допуск на расположение проводников

 


7.2 Общий расчет

Определим номинальное значение диаметров монтажных отверстий

          d=1.15 мм

          Минимальный диаметр контактной площадки вокруг монтажного отверстия

         

D=(1.15+0.05)+2*0.1+0.03+2*0.03+(0.082+0.22+ 0.052)1/2=1.71 мм

Номинальное значение ширины проводника

          где    tмд=0.25 мм – минимально допустимая ширина проводника

                    Δtн=0.05 мм – нижнее предельное отклонение

          t=0.3

          Номинальное значение расстояния между проводниками

                    S=Sм д+ Δtв-δl

          где Sмд=0.35 – минимально допустимое расстояние между соседними элементами

          S=0.4 мм

Для стабильной работы должно выполняться неравенство 

где γ=20-60 А/мм2 – для меди полученной электрохимическим методом

a=35 мкм – толщина проводника

, следовательно условие выполняется

8 Расчет помехозащищенности

Расчет будем вести по микросхеме К554СА3 т.к. она имеет наиболее низкое допустимое напряжение помехи Uп=0.5 В Максимальное напряжение активной линии составляет E0=2.5 В на частоте f=5 МГц . В состоянии логической “1” помеха слабо влияет на срабатывание логического элемента, поэтому рассмотрим случай, когда на входе микросхемы логический “0”

При этом Uвх=0.5 В, Uвых=0.5 В, Iвх=1.6 мА, Iвых=16 мА

Определяем взаимные емкости С и индуктивности М для параллельных печатных проводников

                       

          где    ε=0.5εп=0.5* 6=3 – диэлектрическая проницаемость платы

W=35 мкм – толщина платы

l=75.5 мм – максимальная длина области связи проводников

δ=0.4 мм –рассояние между проводниками

b=0.3 мм – ширина проводников

          C=0.5733 пФ,       M=0.8181 мГн.

          Определяем входные и выходные напряжения

          R1= Uвх/ Iвх=312.5 Ом,                   R2= Uвых/Iвы=31.3 Ом

          Вычисляем сопротивление изоляции между проводниками Rи=δρ/l

          где ρ=5 1010 Ом

          Ri=264,8 Мом

          Определяем действующее напряжение помехи

          получаем U0=0.312 В < Uп=0.5 В.

          Следовательно действие помехи не приведет к нарушению работоспособности микросхемы, а, значит, и всего устройства.

9 Тепловой расчет микросхемы

Электрическое устройство помещено в корпус. Необходимо расчитать температуру микросхемы и определить, не превышает ли она допустимой.

Для выполнения расчета необходимы следующие исходные данные:

          L1=L2=90 мм, L3=50 мм – длина, ширина и высота корпуса

          l1=l2=80 мм, l3=30 мм - длина, ширина и высота нагретой зоны

          t0=250 C – температура окр. Среды

          P0=5 Вт – мощность, рассеиваемая блоком в виде теплоты

9.1 Определение температуры корпуса

Рассчитаем удельную поверхностную мощность корпуса блока   qk

Площадь внешней поверхности корпуса блока            Sk=2(L1L2+L1L3+L2L3)=0.0342 м2

          qk= P0 / Sk =146.2

Тогда перегрев корпуса блока =150 C

Определяем коэффициент лучеиспускания для верхней, нижней, и боковой поверхности корпуса: степень черноты наружной поверхности корпуса                     e = 0.88 (лак).

         

                

          Для определяющей температуры tm=t0+0.5=32.50 C расчитываем число Грасгофа

          где  - коф. Объемного расширения газов

           

            Из таблицы 4.10 находим

                                               

            Находим режим движения газа, обтекающего каждую поверхность корпуса блока:

          5 102 <(Gr Pr) <2 107 – ламинарный режим.

          Рассчитываем коэф. теплообмена конвекцией для каждой поверхности корпуса блока: Ni=(0,7-нижней, 1-боковой,  1.3-верхней)

         

            Определяем тепловую проводимость между поверхностью корпуса и окружающей средой

где Sн, Sб, Sв – площади нижней, боковой и верхней поверхности соответственно

         

          Коэффициент перфорации Кпо=0.9           

Рассчитаем перегрев корпуса блока во втором приближении

Определим ошибку расчета

Так как ошибка больше 0.1, проведем повторный расчет, скорректировав температуру блока к Δtrj.

Проведя еще один расчет получаем

Рассчитываем температуру корпуса блока

tk=t0+ Δtrj= 37.670 C

9.2 Определение температуры нагретой зоны

Вычисляем условную удельную поверхностную мощность нагретой зоны блока          

Из графика находим перегрев нагретой зоны относительно среды

         

          Расчитываем привиденные степени черноты поверхностей

            где

Определяем коэф. Теплообмена излучением между нижними, верхними и боковыми поверхностями корпуса блока

Для определяющей температуры

и определяющего размера hi находим числа Грасгофа и Прандтля

Для нижней поверхности

         

            Для верхней  и боковой поверхности поверхности

            Определяем тепловую проводимость между нагретой зоной и корпусом

         

           где

                   

           коэффициент, учитывающий кондуктивный теплообмен

          

Рассчитаем нагрев нагретой зоны во втором приближении

Определяем ошибку расчета

Рассчитываем температуру нагретой зоны tз=t0+ΔtЗ= 48.50 C

9.3 Расчет температуры поверхности микросхемы

          Определяем эквивалентный коэф. Теплопроводности модуля 

                   

          Определяем эквивалентный радиус корпуса микросхемы с помощью площади основания микросхемы

                   

          Рассчитываем коэффициент распространения теплового потока

                   

                   

         Мощность, рассеиваемая микросхемой Q=300 мВт ; среднеобъемный перегрев воздуха в блоке

                   

         Определяем искомый перегрев поверхности корпуса микросхемы

                   

         Определяем поверхностную температуру корпуса микросхемы

                     

         73.40 C меньше критической температуры микросхемы 850 C, следовательно устройство работает в допустимом температурном диапазоне

Похожие материалы

Информация о работе