Разработка СВЧ модуля: Методические указания к индивидуальным заданиям на конструкторский практикум, страница 10

При способе задания размеров элементов их вершины нумеруются арабскими цифрами. Контур каждого элемента, начиная с левого нижнего угла, обходят по часовой стрелке. В случае высокой плотности размещения элементов на подложке и в связи с отсутствием места для указания номеров их вершин разрешается не проставлять отдельные координаты. Координаты вершин элементов помещаются в таблицу, которая, как правило, располагается на чертеже слоя. Однако такую таблицу допускается оформлять в виде отдельного самостоятельного документа (с шифром ТБ),

Примеры оформления топологических чертежей приведены в приложении [3].

6. НАВЕСНЫЕ КОМПОНЕНТЫ

В СВЧ модулях применяются компоненты, специально созданные для полосковой техники, а также и предназначенные для объемного монтажа.

6.1. Навесные резисторы.

Обычно резисторы располагаются на поверхности платы. Трубчатые или стержневые резисторы (С2-10; ОМЛТЕ, МОУ, МОН) присоединяются к контактным площадкам за выводы (рис.6.1,а,б) или за колпачки (рис.6.1,6). Эти резисторы сохраняют свойства сосредоточенных в диапазоне до 1...2 ГГц.

Резисторы ниточной конструкции (С2-12, СЗ-3 и другие) удобно монтируются в НПЛ, а малые размеры этих резисторов позволяют использовать их до частот свыше 3 ГГц.

Таблеточные резисторы (СЗ-2) устанавливаются внутри отверстий плат между полоской и заземленным основанием (рис.6.3.}.

Чип-резисторы-элементы, специально разработанные для использования в составе ГИС СВЧ (С6-4, С6-9), показаны на рис.6.4.

В качестве материалов оснований чип-резисторов используются ситаллы, керамика из окиси алюминия, кремний. Контактные площадки выполнены облуженными (для пайки) либо золоченными (для сварки), В некоторых конструкциях обратная сторона подложки металлизируется,

Характеристики основных типов навесных резисторов приведены в Приложении 3.

6.2. Навесные конденсаторы.

В полосковых схемах используются конденсаторы постоянной и переменной емкости. Конденсаторы навесные постоянной емкости используются редко.

Специально для ГИС СВЧ диапазона разработаны конденсаторы КIO-42 (до 2 ГГц). Они представляют собой миниатюрные керамические параллелепипеды (рис.6.6), торцы которых металлизированы и облужены.

Габаритные размеры L´B´H - 1,5´1,4´1,2 мм. Имеют номиналы 1...22 пФ, допуск на емкость ±0,25 пФ для емкости менее 4,7 пФ; ±0,25 пФ и ±0,5 пФ для емкостей 4,7...10 пФ и ±5; ±10; ±20%для емкостей больше 10 пФ; ТКЕ (-47±30)×10-6 (группа М47); рабочее напряжение 50В tgd£15×10-4. Для диапазона СВЧ предназначены конденсаторы переменной емкости КТЧ-22 (рис.б.7), имеющие размеры 8,5x8,5x4,5 мм и перестраиваемые от 0,21 до 2; от 1 до 5, от 3 до 15, от 4 до 20 пФ. Номинальное напряжение конденсаторов 250В; tgd£20×10-4; масса не более 0,7 г, ТКЕ - (-75±75)×10-6. Конденсаторы для ИС СВЧ типа КТЧ-27 имеют вид, показанный на рис. 6.7, и выдерживают до 50 циклов перестройки, работают при номинальных напряжениях 25 и 50В. Габаритные размеры 2,8´2,6´1,2 (25 В); 5´4,7´1,8 мм (50 В), диапазоны перестройки 0,4...2 пФ; 1,5 пФ (25 В); I...5,2...10, 3...5, 4...20 пФ (50 В), ТКЕ - (-75±125)×10-6; tgd£20×10-4;  масса 0,07 г (25 В) и 0,2 г (50 В).

6.3. Навесные диоды.

Выпускается большое число диодов в конструктивном исполнении, специально приспособленное для установки в ГИС СВЧ. Находят некоторое применение и диоды, предназначенные для коаксиальных и волноводных конструкций.

Применяется также бескорпусные диоды. В целом ряде случаев необходимо создавать в подлогах ГЙС СВЧ для размещения диодов специальные отверстия, что усложняет процесс изготовления и конструкцию модуля СВЧ. При применении мощных диодов требуется корпуса специальной конструкции с радиаторами для отвода тепла.

Основные конструкции припекаемых в ГИС СВЧ диодов показаны на рис. 6.9...6.11. Диоды в керамических и стеклянных корпусах (рис,6.9 и рис.6.11,д) обычно устанавливается на поверхности  платы, и включаются последовательно. Таким же образом могут устанавливаться и диоды, показанные на рис,6,9,д. Остальные типы диодов требуют создания в плате специальных отверстий для их размещения, К ним относятся бескорпусные ЧИП структуры (рис.6.10,г) и диоды коаксиального типа (рис.6.9,а) и другие. На рис. 6.12 показаны способы крепления диодов.