Электротехника \ Физические основы электроники

Изучение включения полевых транзисторов по схеме с общим истоком. Исследование ПТ с управляющим p-n-переходом, страница 4


Снятие правой ветви передаточной ВАХ.

При UСИ1=2 В.

+UЗИ, В.

0,5

0,8

1,5

2

4

IС, мА.

3,3

4,3

6,7

8,5

13,6

Вывод: В МДП транзисторе со встроенным каналом ток протекает даже если на затворе «0». При подаче отрицательного напряжения на затвор электрическое поле выталкивает электроны из канала, его сопротивление растет, а IС падает. Такой режим носит название «режима обеднения». При подаче положительного напряжения на затвор, электрическое поле притягивает электроны из подложки, IС растет (режим обогащения).


Исследование МДП транзистора с индуцированным каналом n-типа.


Схема для исследования МДП транзистора с индуцированным каналом n-типа.

Снятие передаточной ВАХ

UЗИ, В.

0

0,5

1,0

1,5

2,0

3,0

3,5

IС, мА.

При UСИ1=4 В.

0

0,1

1,4

3,0

4,7

8,0

9,8

IС, мА.

При UСИ2=10 В.

0

0,19

1,5

3,2

4,8

8,3

10

Вывод: при подаче на затвор UЗИ=0,В тока стока не будет, при подаче положительного напряжения на затвор ток стока начнет расти за счет притягивания электронов из подложки, произойдет образование проводящего канала.

Скачать файл