Изучение включения полевых транзисторов по схеме с общим истоком. Исследование ПТ с управляющим p-n-переходом, страница 3

Вычисление параметров ПТ транзистора с управляющим p-n-переходом.

Выходное сопротивление транзистора:

Напряжение насыщения:

U_Н=1,В.

Крутизна передаточной ВАХ:

Напряжение отсечки:

Вывод: проанализировав стоковые ВАХ, мы увидим, что на начальном этапе при увеличении U_СИ происходит пропорциональное увеличение тока стока I_С, когда U_СИ достигнет некоторого значения насыщения, ток стока I_С расти перестанет. В этом случае повысить ток стока возможно только увеличив напряжение на затворе U_ЗИ.

Проанализировав передаточные ВАХ, можно заметить, что при увеличении отрицательного потенциала на затворе p-n-переходы запираются и расширяются практически за счет канала, сечение канала уменьшается, ток через канал падает. При некотором U_{ЗИ ОТС}, называемом напряжением отсечки, области p-n-переходов смыкаются по всей длине канала, сток и исток оказываются изолированными друг от друга, ток  I_С равен нулю.

Исследование МДП транзистора со встроенным каналом n-типа.

Схема для исследования МДП-транзистора со встроенным каналом n – типа.

Снятие левой ветви передаточной ВАХ.

При U_СИ1=1 В.

-UЗИ, В.	-1,45	-1,1	-0,9	-0,7	-0,4	-0,2	0
IС, мА.	0	0,1	0,3	0,4	0,8	1,1	1,5

Снятие правой ветви передаточной ВАХ.

При U_СИ1=1 В.

Снятие левой ветви передаточной ВАХ.

При U_СИ1=2 В.