Мобильное РПУ супергетеродинного типа с однократным преобразованием частоты, страница 11

.

(3.9)

Результаты расчёта получим следующие:

–для биполярной структуры:

;

–для полевой структуры:

.

При заданном ослаблении по зеркальному каналу Seзк=55дБ  по графикам приведённым в [1] находим структурную схему преселектора:

Рисунок 3.1 – Структурная схема преселектора

Теперь произведем аналитический расчёт ослабления сигнала по зеркальному каналу создаваемое одиночным и связанным колебательными контурами. Ослабление создаваемое одиночным колебательным контуром равно:

,

(3.10)

где

d  –  затухание сигнала;

x   – обобщенная расстройка.

Ослабление создаваемое связанным колебательным контуром равно:

,

(3.11)

,

(3.12)

,

(3.13)

где

h –  фактор связи;

kc – коэффициент связи между контурами;

Lк – индуктивность контурных катушек.

При факторе связи h >1 резонансная кривая в полосе пропускания имеет провал, поэтому примем h =1. Подставляя в формулы (3.11), (3.12) значение x=xзк, получим:

–  на биполярных транзисторах:

;

;

–  на полевых транзисторах:

;

;

Аналогично произведем расчёт ослаблений колебательных контуров по соседнему и прямому каналам. Обобщенные расстройки согласно (3.10) составят:

-  для биполярной структуры: ;;

-  для полевой структуры: ;.