Рабочая программа и задание на контрольную работу с методическими указаниями, страница 26

Для дешифрации можно применить ИМС К155ИДЗ, вход которой стробирован импульсами ТГ длительностью порядка 1–2 мкс, что обеспечивает вре­менной интервал между импульсами возбуждения различных разрядов (меж­разрядное бланкирование). Бланкирование необходимо для того, чтобы носители зарядов в индикаторе успели рекомбинировать, иначе в индикаторе возникает паразитное свечение. Рекомбинация в полупроводниковых индикаторах проис­ходит за доли микросекунды, а интервал бланкирования может составлять единицы микросекунд. Для коммутации знакомест использован набор трансляторов типа 2ТС622А, которые допускают токи: средний – 0,4 и импульсный – 0,6 А.

Динамический матричный контраст в описанной схеме достаточно велик. Из (5.6):  видно, что так как , то , это обеспечивает .

 

Рис. 5.20. Схема источника тока для возбуждения

полупроводниковых индикаторов

 

Рис. 5.15. Цифровое СОИ с поразрядной индикацией:

а – структурная схема; б – диаграммы напряжений на основных блоках;

в – модификация, использующая БЗУ

 

Рис. 5.26. Принципиальная схема блока КР для рис. 5.15

Задание 5.8. Разработка четырехразрядного цифрового СОИ на основе на­каливаемого вакуумного индикатора ИВ-13. Выбираем систему поразрядной ин­дикации (см. рис. 5.15). Из (4.18):  и табл. 4.4 следует что  В. Исходя из равенства мощностей в импульсном и статическом режимах , получим  А.  С учетом начального броска тока примем  А. В результате для блока   А,  А; для блока КР  А,  А. В данном случае выполнять ключи блока Ф в виде источников тока нет необходимости благодаря суб­линейному характеру зависимости тока от напряжения в накаливаемом вакуум­ном индикаторе. Согласно рекомендациям § 4.5, выберем  Гц, откуда  с, а  мс. Эти значения много меньше времени нагрева ЭО (0,2–0,25 с; см. § 4.5), так что для переключения индикатора в новое состояние потребуется несколько десятков таких импульсов.

При разработке схемы следует учитывать: а) необходимость сдвига уров­ней сигналов при переходе от блока DC, питаемого от источника +5 В, к блоку Кл, питаемому от источника +15 В; б) большие токи ключей схемы и особенно большие импульсные токи, протекающие через ключи блока Кл; в) реакцию ин­дикатора на действующее, а не на мгновенное значение напряжения; анализ диаграмм рис. 5.15,б показывает, что при использовании выборок 2:1 или 3:1 напряжения на возбужденных и невозбужденных ЭО оказываются близкими и достаточный динамический контраст не обеспечивается; г) отсутствие необходи­мости бланкирования (так как работа накаливаемого индикатора не связана с генерацией и рекомбинацией носителей).