Подготовка к зачёту по радиоэлектронике, ответы на вопросы, страница 5

В качестве РЭМ0 используются микросборки (МСБ), интегральные микросхемы (ИС) и функциональные компоненты (ФК).

Микросборка - микроэлектронное изделие типа гибридной интег­ральной схемы (ГИС) или большой гибридной интегральной схемы (БГИС), выполняющее определенную функцию, состоящее из элементов, компонентов и (или) интегральных микросхем (корпусированных и бескорпусных) и других радиоэлементов в различных соче­таниях, выполненное на конструктивной основе, разрабатываемое и изготавливаемое разработчиком конкретного РЭС для улучшения пока­зателей миниатюризации.

МСБ является изделием частного применения.

Интегральной микросхемой (ИС) называется  "микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию пре­образования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упа­ковки электрически соединенных элементов (или элементов и компо­нентов) и (или) кристаллов, которые с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматриваются как единое целое". При этом под элементом интегральной микросхемы по­нимают часть ИС, реализующую функцию какого-либо электрорадиоэле­мента (например, диода, транзистора, резистора, конденсатора и т.п.), которая не может быть выделена из ИС и поставляться как самостоятельное изделие. Если же часть ИС может поставляться отдельно, то она называется компонентом.

Кристаллом ИС называется часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.

Если ИС содержит кроме элементов также и компоненты, и (или) кристаллы, то она называется гибридной интегральной микросхемой (ГИС).

Интегральные микросхемы (полупроводниковые и гибридные) яв­ляются изделиями универсального применения.

Двумя важнейшими характеристиками ИС являются:

- плотность упаковки;

- степень интеграции.

Обе характеристики имеют тенденцию возрастать.Под плотностью упаковки ИС понимается отношение числа эле­ментов и компонентов ИС к ее объему. В современных ИС плотность упаковки достигает  в 1 .

Степень интеграции ИС определяется количественно как ближай­шее большее целое от десятичного логарифма числа N ее элементов (и компонентов):

k = [lg N] , где N - число элементов в соответс­твующей электрической схеме ИС

ИС большой степени интеграции (4-й и 5-й) называют большими интегральными (большими интегральными гибридными) схемами (БИС, БГИС) и сверхбольшими ИС – СБИС.

16. Конструкторская иерархия РЭС (структурные уровни во взаимодействии с поколениями РЭС, преимущества и недостатки иерархии, конструкционные схемы).

В конструкциях РЭС можно вы­делить четыре структурных уровня.

Уровень 0. Самый низкий (нулевой) структурный уровень состо­ит из неделимых схемных элементов. Эти элементы образуют элементную базу, к которой относятся как элементы общего (широкого) при­менения, так и элементы частного применения.

К элементам общего применения относятся:

- электрорадиоэлементы  -  ЭРЭ (резисторы, конденсаторы, электровакуумные и полупроводниковые приборы и т.п.);

- радиокомпоненты (линии задержки, фильтры и т.д.);

- интегральные микросхемы различных степеней интеграции. Изделия общего применения приобретаются разработчиком как покупные изделия.

К элементам частного применения относятся: объемные модули (ОМ), микромодули (ММ) и микросборки (МСБ), изготавливаемые раз­работчиком конкретного РЭС.

Уровень 1. На первом структурном уровне неделимые элементы объединяются в схемные сочетания, имеющие более сложный функцио­нальный признак, образуя функциональные ячейки (радиоэлектронные модули первого уровня - РЭМ1), т.е. конструктивно и функционально законченные сборочные единицы, состоящие из элементов общего и частного применения, устанавливаемые на печатной плате (одной или нескольких).