Основы радиоэлектроники: Лабораторный практикум. Часть 1, страница 16

Рисунок 7

2.6. Собрать схему согласно рисунка  8.

 

PA1, PA2 - комбинированный  прибор 43101; PV1 - комбинированный прибор Ц4342; R1 - резистор 100 W; R2 - резистор переменный 470 W; SA1 - тумблер MTD - 1; С1 - конденсатор 3300 pF (подключается при наличии помех)

Рисунок 8

2.7. Изменяя ручкой " + 15 V " на блоке ПГ напряжение коллектора (U_кб) от 0 до 10 V, снять положительную ветвь выходной характеристики транзистора

I_к = f (U_кб) при установке эмиттерного тока (I_э) 10, 20, 30 mA.

 2.8. По данным измерений построить входные и выходные характеристики транзистора.

Примечание: Конденсатор C1 подключается в случае наводок на схему.

3 Контрольные вопросы

3.1. Как устроен транзистор?

3.2. Принцип действия биполярного транзистора?

3.3. Какие способы включения биполярного транзистора вы знаете?

3.4. Дайте определение входной характеристики транзистора?

3.5. Дайте определение выходной характеристики транзистора?

3.6. Нарисуйте и объясните ход вольтамперной характеристики транзистора, включенного по схеме с общей базой?

3.7. С какой целью в цепь эмиттера включают источник переменного напряжения?

3.8. Какими параметрами характеризуется  транзистор и как они зависят от режимов работы?

4 Требования по содержанию отчета

            Отчет должен содержать:

4.1. Титульный лист.

4.2. Схему рисунка 6.

4.3. Входную характеристику транзистора I_э = f (U_эб).

4.4. Схему рисунка 7.

4.5. Отрицательную ветвь выходной характеристики транзистора I_к = f (U_кб).

4.6. Схему рисунка 8.

4.7. Положительную ветвь выходной характеристики транзистора I_к = f (U_кб).

4.8. По данным измерений построенные входные и выходные характеристики транзистора.

4.9. Выводы по работе.

Лабораторная работа № 4

Исследование транзистора в схеме с общей эмиттером

Цель работы:

- ознакомление с принципом работы транзистора и схемами их включения;

- ознакомление с методикой измерения входных и выходных характеристик транзистора в схеме с общей эмиттером и определение коэффициента усиления.

1 Сведения из теории

          Рассмотренные в предыдущей работе характеристики соответствуют включению транзистора по схеме с общей базой. Эта схема на­зывается так, поскольку в ней электрод базы является общим для входной и выходной цепей. В схеме с ОБ ток эмиттера - входной, а ток коллектора - выходной. Однако при снятии статических характеристик, а также в электронных схемах возможны    и другие   варианты   включения   транзистора - с общим эмиттером (рисунок 1), с общим коллектором (рисунок 2).

                          Рисунок 1                                         Рисунок 2

          В схеме с общим эмиттером входным током является ток базы

.

         Входным напряжением U_б.э является то же напряжение, что и в схеме с ОБ, только с другим знаком. Поскольку ток базы зна­чительно меньше тока эмиттера, входное сопротивление транзисто­ра в схеме с ОЭ значительно выше, чем в схеме с ОБ.

          Выходным током в схеме с ОЭ, так же как и в схеме с ОБ, яв­ляется ток коллектора, а выходным напряжением является U_к.э.

          Статические характеристики для транзистора, включенного по схеме с ОЭ, т. е. I_K=f(U_{к. э})при различных токах базы и I_б=f(U_б-э) при различных напряжениях U_к.э, показаны на рисунке 3.

          а)                                                              б)

Рисунок 3

Из рисунка 3 видно, что расстояние между коллекторными ха­рактеристиками неодинаковое, несмотря на то, что приращение базового тока везде составляет 200 мкА. Это объясняется тем, что коэффициент передачи транзистора по току не остается постоян­ным и падает с увеличением коллекторного тока. Поэтому в области больших токов характеристики располагаются более густо.