Основы радиоэлектроники: Лабораторный практикум. Часть 1, страница 12

3.6. Нарисуйте вольт-амперную характеристику туннельного диода. Расскажите о его основных параметрах?

3.7. Нарисуйте вольт-амперную характеристику стабилитрона. Расскажите о его основных параметрах?

3.8. Какими параметрами характеризуются переключательные диоды?

3.9. Нарисуйте вольт-амперную характеристику тиристора. Расскажите о его основных параметрах?

3.10. Какие типы тиристоров вы знаете?

4 Требования по содержанию отчета

Отчет должен содержать:

4.1. Титульный лист.

4.2. Схему рисунка 8.

4.3. Значения  измеренного прямого тока I_пр  для диодов КД209А, КД521А.

4.4. График зависимости  I_пр. = f (U_пр.).

4.5. Схему рисунка 9.

4.6. Зависимость тока стабилитрона  (I_cm) от напряжения стабилитрона (U_cm)

(прямая ветвь).

4.7. Зависимость тока стабилитрона (I_cm) от напряжения стабилитрона (U_cm) (обратная ветвь).

4.8. Графики прямой и обратной ветви вольт-амперной характеристики стабилитрона.

4.9. Схему рисунка 10.

4.10. Вольт-амперную характеристику триодного тиристора. I_пр. = f (U_пр.) при токах в управляющем  электроде 5, 10, 15 mA.

4.11. График вольтамперной характеристики динистора и диодного тиристора.  

Лабораторная работа № 3

Исследование транзистора в схеме с общей базой

Цель работы:

- ознакомление с принципом работы транзистора и схемами их включения;

- ознакомление с методикой измерения входных и выходных характеристик транзистора в схеме с общей базой.

1 Сведения их теории

            Транзисторы - полупроводниковые приборы, способные усили­вать или генерировать электрические колебания. Транзистор состоит из двух электронно-дырочных переходов, выполненных на одном кристалле (рисунок 1).

В транзисторе имеются три области: эмиттерная, базовая и кол­лекторная. Переход, который образуется на границе областей эмиттер - база называется эмиттерным, а на границе база-кол­лектор - коллекторным. Проводимость базы может быть как элек­тронной, так и дырочной, соответственно транзисторы бывают р-n-р или n-р-n-типа.

                            а)                                                                    б)

Рисунок 1

          Принцип работы транзисторов обоих типов одинаков, различие заключается в том, что в транзисторе р-n-р- типа ток через базу переносится дырками, инжектированными из эмиттера, а в транзисторе n-р-n-типа - электронами. В усилительном режиме работы эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный - в обратном.

          Процессы, которые происходят при рассмотрении р-nперехода, будут иметь место и в переходах транзистора.

            Если бы эмиттерный и коллекторный переходы находились на большом расстоянии друг от друга и ширина базы была бы значительно больше диффузионной длины, то дырки, инжектированные эмиттерным переходом, не доходили бы до коллектора, а рекомбинировали бы в базе. И такая система из двух разнесенных переходов вела бы себя как два изолированных диода. Причем вольт-ам­перная характеристика эмиттерного перехода представляла бы прямую, а коллекторного - обратную ветвь характеристики диода.

          Особенность транзистора по сравнению с такой конструкцией заключается во взаимном влиянии переходов друг на друга.

           Для того чтобы конструкция р-n-р работала как транзистор, необходимо чтобы почти все инжектированные эмиттером дырки доходили до коллекторного перехода, т. е. ширина базы транзистора W должна быть тонкой W<L _р(для транзисторов типа n-р-nW<L _n ).

          Одной из особенностей конструкции транзистора является то, что сопротивление эмиттерной области выбирается во много раз меньше, чем базовой,  для конструкции типа р-n-р это означает, что концентрация дырок в эмиттерной области много больше, чем в базовой. Если бы концентрации были равны, то эмиттерный ток состоял бы наполовину из электронов, инжектированных из базы в эмиттер, наполовину из дырок, инжектированных из эмиттера в базу. Так как концентрация дырок в эмиттере очень высокая, прак­тически весь эмиттерный ток состоит из дырок, инжектированных в базу.