Приборы и устройства для формирования видимого изображения: Учебное пособие, страница 19

           В настоящее время интенсивно развиваются технологии, в которых изменение оптического состояния ЖК достигается не за счёт управляющих сигналов, поступающих со схемы управления, а из-за изменения электрического состояния элемента с нелинейной вольт-амперной характеристикой (тонкоплёночного транзистора ТПТ или диода ТПД), включённого последовательно с каждой ЖК-ячейкой через общую шину. При таком (активном) управлении, в отличие от пассивного, параметры вольт-контрастной характеристики электрооптического эффекта оказываются не связанными непосредственно с управляющими электрическими сигналами. ЖК-дисплеи с таким управлением называют активно-матричными (АМ ЖКИ или AM LCD). В таких дисплеях для управления отдельными элементами ЖКИ применяются аморфные или поликремниевые тонкоплёночные транзисторы (ТПТ или TFT). На основе матриц с поликремниевыми транзисторами создаются устройства с высоким пропусканием и высокой эффективностью использования подсветки. Обычно пропускание цветной активной матрицы с ЖК составляет величину 4..6 %.

          Наиболее распространена технология ЖКИ "chip-on-glass'', структура элемента при которой приведена на рис. 3.4.

Устройство ЖКИ достаточно просто. В них реализуются современные плоские панельные конструкции. Для получения низких управляющих напряжений в единицы вольт зазор между пластинами должен быть небольшим (6..50 мкм). Используемая жидкость должна обеспечивать соответствующую вольт - контрастную характеристику. Конструкция в общем случае состоит из двух стеклянных обкладочных пластин с нанесёнными на их внутренние поверхности системами прозрачных электродов. Расстояние между пластинами фиксируется с помощью прокладок - спейсеров. Зазор между пластинами заполнен жидкокристаллическим веществом. На свободных поверхностях пластин сформированы или формируются управляющие активные элементы  и прозрачные проводящие электроды. В зависимости от особенностей индикатора (работает на просвет или отражение, используется пассивно- или активно-матричное управление, преобразуется поляризованное или неполяризованное излучение) в конструкцию включаются дополнительные слои и элементы.


 Активные элементы формируются на поверхности обкладочных пластин в едином технологическом цикле. Активные элементы на основе поликристаллического кремния лучше, чем на аморфном кремнии, подходят для устройств с высокой степенью интеграции. В частности, они подходят для  устройств небольшого размера на кремниевых подложках - проекционных ЖКИ, нашлемных дисплеях и др. Апертурное отношение для дисплеев равно отношению площади пиксела, не занятой черной маской, защищающей ТПТ от света, к полной площади пиксела. Самой перспективной технологией для проекционных ЖКИ считается наиболее интегрированная технология "ЖК – на - кремнии" (LCoS, Liguid – Cristal – on - Silicon).

           В настоящее время интенсивно ведутся разработки активно-матричных ЖКИ с тонкопленочными активными диодами, особенно МИМ - структур (металл – изолятор - металл, metal – insulator - metal). Такие структуры имеют более низкую стоимость изготовления из-за меньшего количества фотолитографических операций.

          Фирма Xerox (США) занимается разработкой активных матриц со сверхвысоким разрешением – так называемой "оцифрованной бумаги" (digital paper). Разработанная матрица размером 13,5" (34,3 см) содержит 1536х1120 цветных пикселов или 3360х2048 чёрно-белых элементов отображения.

            Исследуется возможность применения сегнето- и антисегнетоэлектрических ЖК (СЭЖКИ), а также диспергированных в полимере ЖК (ПД ЖК, PD LC).

            Все ЖКИ работают на переменном напряжении: при использовании постоянного управляющего напряжения оказываются существенными электролитические эффекты и срок службы прибора становится недопустимо малым.

В условиях низкой освещенности используются модели индикаторов, ос­нащенные подсветкой, которая бывает разного тина и цвета. Основные типы подсветки - светодиодная, электролю­минесцентная и флуоресцентная.

В зависимости от применения ис­пользуется тот или иной тип подсветки, каждая из которых имеет свою область применения. Типы подсветки ЖКИ отра­жены в таблице 3.1.

Таблица 3.1. Типы подсветки ЖКИ

Тип

подсвет-

ки

 Яркость,        кд/м2

Потребле-

­ние,

Вт/см2

Преимущества

Недостатки

Свето-диодная

   20. ..300

   0,01. ..0,15

Напряжение - 5 В; отсутствие

дополнительных схем управления

Большая толщина на

больших площадях; высокое

потребление энергии

Электролю-минесцент-ная

    20. ..150

   0,001. ..0,01

Низкое потребление;

малая толщина;

высокая равномерность

Необходимость драйвера

подсветки

Флуорес­центная

    100- 104

       -

Низкое потребление; высокая равномерность; высокая яркость

Необходимость инвертора; неэффективность на малых площадях

Преимущества светодиодной под­светки — хорошая яркость и долго­вечность, а также большой выбор цветов, но у нее более высокий ток потребления.

К преимуществам других типов подсветки относятся малый потребляе­мый ток и равномерное распределение освещенности, но при этом меньшая, чем у светодиодов, долговечность; кро­ме того, необходим дополнительный преобразователь, поскольку для пита­ния подсветки требуется высокое на­пряжение переменного тока.

Управление яркостью подсветки осуществляется с помощью внешнего резистора. Нужно учитывать, что при чрезмерном увеличении уровня яркос­ти срок службы электролюминесцент­ной подсветки резко снижается. Как правило, если нет жестких ограниче­ний по потребляемому току, использу­ют светодиодную подсветку.

    В России изготовлены прототи­пы сверхъяркой подсветки для ЖКД (до 5000 кд/м2) на основе острийных катодов - микронаконечников с алмазным покрытием для лучшего теплоотвода и катодолюминофоров.