RiTEK Display является первой компанией в Тайване и второй в мире, которая взялась за разработку и серийное производство OLED-приборов. В IV квартале 2001 года RiTEK Display начала коммерческое производство панелей-заготовок размером 400 х 400 мм для пассивно адресуемых OLED-дисплеев. К концу IV квартала 2001 года планировалось также запустить технологическую линию по выпуску заготовок размером 370 х 470 мм, предназначенных для массового производства 2-7- дюймовых цветных OLED-дисплеев с пассивной адресацией. Ожидаемый объем выпуска подложек формата 370 х 470 мм - около 100 тыс. шт. в месяц. К 2005 году RiTEK планирует наладить производство цветных OLED-дисплеев с активной адресацией, для чего собирается запустить по крайней мере еще две технологические линии по производству подложек размером 550 х 650 мм и 680 х 880 мм. Эти линии, как ожидается, будут иметь производительность около 30 тыс. подложек в месяц. Для развития этого направления RiTEK приглашает крупнейших западных инвесторов.
Другая тайваньская компания, Solomon Systech, также имеет планы относительно освоения рынка производства OLED-дисплеев. На сегодняшний день фирмой освоен серийный выпуск драйверов с MLA-адресацией, а также целого семейства ЖК-дисплеев для сотовых телефонов и PDA.
Индикаторы и УОИ на предпробойной электролюминесценции Состояние производства и разработок ЭЛИ на предпробойной электролюминесценции пока тормозится рядом трудностей. Основными проблемами ЭЛИ являются сложность технологии изготовления, большое энергопотребление, высокие рабочие напряжения, трудности получения градаций серого и полной цветовой гаммы.
Излучатель тонкоплёночного ЭЛИ, работающего на переменном токе (ТПЭЛ, ACTFEL), представляет собой сложную структуру и состоит более чем из 10 слоёв. Последовательность расположения слоёв, их толщину и материал иллюстрирует рис. 5.4.
Наибольшее распространение получили графические монохромные ЭЛД. Их размеры обычно невелики, что, однако, позволяет их использовать в видоискателях фотоаппаратов, в принтерах, нашлемных дисплеях, для получения трехмерного изображения и других спецприменений.
|
Серый, или поляризационный фильтр |
|
Стеклянная подложка (1000 мкм) |
|
Слой ионного барьера (1000 А) |
|
Прозрачный электрод ( ITO - 4000 А) |
|
Верхний диэлектрический слой (SiO2+Ta2O5 - 2000 А) |
|
Слой люминофора ( ZnS:Mn - 8000 А) |
|
Нижний диэлектрический слой (SiO2+Ta2O5 - 2000 А) |
|
Металлический электрод (2000 А) |
|
Пассивирующая тонкая плёнка (1 мкм) |
|
Герметик (0,1 мм) |
|
Стеклянное покрытие (1 мм) |
Рис. 5.4. Расположение слоёв в структуре тонкоплёночного ЭЛИ
Самый большой монохромный ТПЭЛ-дисплей производится фирмой Planar (США). VGA-панель размером 10,4 дюйма (26,4 см) стоит 300 долл. Стратегическим направлением этой компании являются также электролюминесцентные панели с активно-матричной адресацией. В 1995 г. был продемонстрирован монохромный SXGA (1280 х 1024 пиксела) дисплей размером 3 х 2,5 см (диагональ 1,7 дюйма), весом 6 г, яркостью 120 кд/м2 и световым выходом 2 лм/Вт. Энергопотребление панели составляло 2 Вт. Основной проблемой таких активно-матричных дисплеев оказалась необходимость разработки высоковольтных (до 200 В) управляющих транзисторов. На следующий год был показан уже цветной активно-матричный ЭЛД с аналогичными параметрами.
В России, в НИИ «Платан» ранее разрабатывались ЭЛД с хорошими характеристиками - яркостью до 85 кд/м2, разрешением 320 х 240 элементов. Однако в настоящее время такие дисплеи в России не разрабатываются и не выпускаются.
Специалистами Института физики полупроводников национальной Академии наук Украины (г. Киев) предложены варианты ЭЛИ с повышенной яркостью и устойчивостью. Однако, несмотря на сотрудничество с финской компанией Planar Espoo, создать производство новых типов ТПЭЛ не удалось.
5.2. Накальные индикаторы и УОИ на них
В этом виде УОИ светящимися элементами отображения индикатора служат миниатюрные раскаленные спирали, полоски и тела другой формы.
Нагрев тел достигается пропусканием электрического тока. Распределение энергии в спектре излучения таких тел зависит от их температуры. На рис.5.5 приведена зависимость интенсивности излучения черного тела (раскаленного угля) от длины волны излучения для температуры 1500 К, 4000 К и 6000 К. Там же для сравнения выделена область спектра, воспринимаемая глазом человека. Зависимости позволяют сделать вывод о том, что при температурах менее 1500 К основная доля энергии излучается в инфракрасной области спектра и лишь очень малая – в видимой. Так, при температуре 2500 К для излучателя из вольфрама реальный к.п.д. составляет несколько процентов. В то же время, если вещество нагреваемого тела прозрачно в инфракрасной области спектра, то согласно закону Кирхгофа оно не будет излучать в этой области спектра. Основное излучение будет лежать в видимой и ультрафиолетовой области спектра. К веществам такого типа относятся полупроводники с шириной запрещённой зоны 2,5..3 эВ, способные работать при высоких температурах и прозрачные в диапазоне длин волн 4..6 мкм. Эксперименты на монокристаллах SiC подтвердили, что даже при Т=1400 К светоотдача в 7..10 раз превышала светоотдачу для вольфрама. Основная трудность в использовании материалов такого типа заключается в их высоком начальном сопротивлении и необходимости предварительного нагрева для обеспечения достаточной
 |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.