Параметры биполярного транзистора в схеме с общей базой, страница 7

коллектора:  . Коэффициент α от

температуры почти не зависит, так как с ростом температуры γ умень­шается, а χ возрастает. Второе слагаемое определяет температурный дрейф характеристик, вызванный изменением I_кбо, который экспоненци­ально возрастает с температурой. Однако влияние этого слагаемого ока­зывается незначительным, так как  . Таким образом, вы-

ходные ВАХ в схеме с ОБ обладают малым температурным дрейфом. Входные ВАХ, как и ВАХ диода, смещаются влево на 1 - 2 mВ при уве­личении температуры на 1 градус. Малый температурный дрейф является несомненным достоинством схемы с ОБ, которая не требует специальных мер по обеспечению температурной стабилизации.

При работе транзистора на малых сигналах, то есть когда амплиту­да переменной составляющей значительно меньше постоянной, транзи­стор можно представить в виде линейного активного четырехполюсника,

характеризуемого входными и выходными то­ками и напряжениями. При этом транзистор рассматривается как элемент с произвольной внутренней структурой ("черный ящик"). Связь между малыми изменениями токов и напряже­ний в транзисторе характеризуется его диффе­ренциальными параметрами. Критерием мало­сти изменения этих величии является линей­ность связи между ними. Четырехполюсник может характеризоваться шестью системами параметров, в зависимости от того, какие из величин токов и напряжений принимаются за аргументы, а какие являются функ­циями. Наиболее часто на практике используется система h-параметров. В  этом случае в качестве аргументов выбирают входной ток I₁ и вы-