сит от температуры и является одним из важнейших параметров транзистора. Если из эмиттера в базу происходит инжекция, то ток в цепи коллектора возрастает.
где 
- коэффициент передачи тока
эмиттера. Так как γ < I и χ <1, то и α<1. Коэффициент α - важный параметр транзистора,
характеризующий его усилительные свойства.
Ток эмиттера, IЭ, текущий через эмиттерный переход,
является управляющим током, от которого зависит ток IК в цепи коллектора -управляемый
ток. По первому закону Кирхгофа 
. Ток базы – это сумма тока
рекомбинации электронов в базе, Irp, тока инжекции дырок из базы в эмиттер, IpЭ, и обратного тока
коллекторного перехода, Iкбо:
(4)
(5)
В инверсном режиме, когда коллекторный переход включен в прямом направлении, а эмиттерный - в обратном:
, 
,
(6) (6)
где 
- инверсный коэффициент
передачи тока коллектора; Iэбо - обратный ток эмиттерного перехода, то есть ток при
"оборванном" коллекторе в инверсном режиме. Обычно 
.
Током, текущим через транзистор, можно управлять, изменяя напряжение на любом из электронно-дырочных переходов. Однако, степень зависимости IЭ и IК от Uэб и Uкб в активном режиме различна. К эмиттер-ному переходу приложено прямое напряжение, и поэтому ток через этот переход, а значит и ток коллектора сильно зависит от напряжения Uэб, возрастая с увеличением этого напряжения по экспоненциальному закону. Таким образом, изменяя напряжение на эмиттериом переходе можно легко и в значительных пределах управлять током, текущим в транзисторе.Иным образом зависит значение этого тока от Uкб. Даже если Uкб=0, электроны, дошедшие до коллекторного перехода, увлекаются диффузионным полем перехода в область коллектора. При увеличении обратного напряжения коллекторный ток практически не изменяется, как и обратный ток изолированного pn-перехода. Таким образом, транзистор отве-
|
|
чает требованиям, которые предъявляются к электронным приборам - преобразователям электрических сигналов: легкость управления током прибора с помощью сигнала в его входной цепи и, по возможности, меньшее влияние напряжения в выходной цепи на
значение этого тока. IЭ = IК + Iб и транзистор можно представить как прибор, через который течет сквозной ток электронов, а часть этого тока ответвляется в базуна рекомбинацию.
В режиме насыщения коллекторный переход смещен в прямом направлении, напряженность поля в переходе снижается и уже не все электроны, дошедшие до коллекторного перехода, экстрагируются в коллектор. Элеклроны накапливаются в базе и интенсивно рекомбииируют с дырками. В этом режиме уравнение для токов IЭ = IK + Iб не выполняется, базовый ток может стать даже больше эмиттерного. В режиме отсечки оба перехода смещены в обратном направлении и экстрагируют электроны из базы. Через выводы транзистора текут обратные токи переходов.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
