Исследование зависимости удельных объемного и поверхностного сопротивления диэлектриков от температуры и влажности. Исследование свойств пьезоэлектриков. Исследование магнитных характеристик ферритов и магнитодиэлектриков, страница 10

z = j×w×L0 + RK + 1 / [ j×w×C2 + j×w×CX + 1 / RX] ,     (5.8)

Приняв во внимание, что RX = w×L0 / Q1,  C1 = C2 + CX,   tgd =  1/w×CX×RX ,  выражение (5.8) можно записать так:

z = j×w×L0 + w×L0 / Q1 + (w×CX×tgd -

- j×w×C1) / (L2×C12 + w2×CX2×tg2d) .                (5.9)

Пренебрегая, ввиду малости, слагаемым w2×CX2×tg2d, выражение (5.9) получает вид

z = j×w×L0 + w×L0 / Q1 - j×(1 / w×C1) + w×CX×tgd / w2× C12.  (5.10)

Активное сопротивление контура в момент резонанса, как это следует из выражения (5.10)

Ra = w×L0 / Q1 + w×CX×tgd / w12×C12 .              (5.11)


29

Учитывая, что величину Ra можно представить в виде w×L0/Q2 и, приняв во внимание, что 1 / w×С1 = w×L0, выражение (5.11) можно записать так:

w×L0 / Q2 = w×L0 / Q1 + w×L0× CX×tgd / C1 .       (5.12)

Отсюда после сокращения уравнения на w×L0 и заменив СХ через С1 – С2, получаем

tgd = (Q1 – Q2)×C1 / Q1×Q2×(C1 – C2) .               (5.13)

3. ВОПРОСЫ К ДОМАШНЕМУ ЗАДАНИЮ

1.  Что такое поляризация диэлектриков и как она оценивается?

2.  Какие виды поляризации не связаны с потерей энергии и какие связаны с потерей энергии?

3.  Как изменяется диэлектрическая проницаемость от температуры и частоты в твердых диэлектриках с ионной, молекулярной и неоднородной структурой?

4.  Что такое угол диэлектрических потерь и тангенс угла диэлектрических потерь?

5.  Как изменяется tgd от температуры и частоты в диэлектриках с замедленными видами поляризации?

6.  Какие виды потерь наблюдаются в твердых диэлектриках и как они оцениваются?

7.  Какие требования предъявляются к диэлектрикам, применяемым на низких частотах и на высоких частотах?

8.  В чем сущность резонансного способа измерения e и tgd?

4. ЛАБОРАТОРНЫЕ ЗАДАНИЯ И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ИХ ВЫПОЛНЕНИЮ

4.1. Получить у преподавателя инструкцию по эксплуатации измерителя  добротности  типа  Е4 – 7,  ознакомиться с его

 30

работой и со всей установкой для измерения e и tgd исследуемых материалов. Работу необходимо начинать после 15 минутного прогрева прибора, предварительно произведя калибровку  добротности.  Получить  у  преподавателя  исследуемые диэлектрики и установить их между электродами измерительных конденсаторов, которые закреплены на дверце термошкафа.

4.2. Измерить частотную зависимость e и tgd диэлектриков при комнатной температуре на частотах 70; 200; 500 кГц; 1,3 МГц; 5 МГц; 11 МГц. Для этого необходимо получить у преподавателя образцовые катушки индуктивности L0 на соответствующие частоты. Измерения следует производить в следующем порядке: установить в гнезде – LX – образцовую катушку индуктивности (например на частоту 70 кГц), установить частоту 70 кГц на измерителе добротности, настроить в резонанс контур L0C0 подстроечным конденсатором С0 по максимальному отклонению стрелки измерителя добротности и записать в таблицу результатов значение С1 подстроечного конденсатора и Q1, затем подсоединить к клеммам СХ конденсатор с исследуемым диэлектриком, настроить контур в резонанс подстроечным конденсатором С0 и записать в табл.5.1 значение С2 и Q2. После этого произвести исследование частотной зависимости e и tgd диэлектриков на других частотах, которые указаны выше. Расчет e  произвести по формуле 5.7, для чего в формулу подставить значение СХ = С1 – С2. Значение tgd определяется по формуле 5.13.

4.3. Исследовать температурные зависимости e и tgd заданных диэлектриков в диапазоне 293 – 360 К через интервал в 15 К, для чего необходимо включить термошкаф.

Для снятия температурных параметров образцы диэлектриков необходимо прогревать одновременно и по очереди подключать к клеммам СХ при фиксированной температуре.


31

Методика измерения температурной зависимости e и tgd такая же, как и в п. 4.2, отдельно на одной частоте 1,3 МГц.

Таблица 5.1