напряжение между соответствующими электродами биполярного и полевого транзистора
UКЭ≈ - амплитуда переменной составляющей напряжения UКЭ ∆UКЭ - остаточное напряжение между электродами транзистора η - коэффициент полезного действия (кпд) усилителя ηУМ - коэффициент полезного действия усилителя мощности
|| - параллельное соединение сопротивлений
УМ - усилитель мощности
КПУ - каскады предварительного усиления ИП - источник питания
ОТУМ - однотактный трансформаторный УМ
ОУМ - однотактный бестрансформаторный УМ ДТУМ - двухтактный трансформаторный УМ
ДУМ - двухтактный бестрансформаторный УМ
ОЭ - общий эмиттер
ОК - общий коллектор
доп - допустимое значение п - значение тока, напряжения или мощности в режиме покоя
пл - величина, определяемая для плеча двухтактного каскада усиления мощности m - амплитудное значение max - максимальное значение min - минимальное значение
Знакомство с краткой историей развития теории и техники усилительных устройств можно начать с 1910-1912 гг., когда В. И. Коваленков применил для усиления электрических сигналов первые образцы электронной лампы. В 1914-1916 гг. Н. Д. Папалекси и М. А. Бонч-Бруевич усовершенствовали конструкцию лампы и использовали ее для усиления электрических сигналов. Однако эти работы не были поддержаны царским правительством; радиопромышленности до Октябрьской революции в России фактически не было. В начале 20-х годов М. А. Бонч-Бруевич показал, что электронную лампу в усилительной схеме можно рассматривать как генератор переменного тока или напряжения и дал ее эквивалентную схему - так было положено начало теории усилителей. Затем в середине 20-х годов были выпущены первые промышленные усилители с электронными лампами; в это же время А.И. Берг разработал основы теории простейших усилительных схем, а также создал методику их инженерного расчета. В 1933-1934 гг. были предложены схемы усилительных устpoйств с применением отрицательной обратной связи; это позволило создать усилители большой мощности с высокими качественными показателями и высоким КПД. Теоретическое исследование схем с обратной связью было дано в работах зарубежных ученых Блека, Боде и других. Последующие годы для нашей страны были годами бурного развития всех отраслей электрической связи, вещания и телевидения на базе новейшей техники. Начиная с 60-х годов, в электронной аппаратуре стали широко использовать транзисторы, обладающие высокой надежностью, малыми габаритными размерами, массой и потребляющие меньше энергии.
Дальнейшее развитие усилительной техники обусловлено, прежде всего, достижениями электроники. Обработка больших потоков информации требует от электронной аппаратуры, нередко состоящей из тысяч и миллионов элементов, чрезвычайной компактности, высокого быстродействия, высокой надежности и малого потребления энергии. Эти требования и определяют современное направление радиоэлектроники и технической кибернетики. Полупроводниковая электроника позволила сделать только первые шаги на этом пути; обычные транзисторные устройства уже не могут полностью удовлетворять современным требованиям. С помощью новых специальных технологических методов созданы так называемые полупроводниковые интегральные схемы, более надежные, меньшие по габаритным размерам и весьма экономичные по потребляемым мощностям.
В решении задач микроминиатюризации наметилось два пути. Первый состоит в том, чтобы, сохраняя принципы транзисторной электроники, осуществить в едином полупроводниковом кристалле максимально компактное размещение микроскопических элементов − транзисторов, диодов, емкостей, сопротивлений. Многообразие и пластичность свойств полупроводников, возможность создавать в одном и том же материале участки с различными характеристиками открывают многообещающие перспективы этого направления. На этом пути имеются большие достижения; уже найдена возможность разместить тысячи элементов в 1 мм3. В этом направлении сейчас ведутся большие научно-технические исследования и разработки. Второй путь решения задач микроминиатюризации заключается в поисках новых принципов создания электронных устройств. Здесь наиболее перспективными являются оптоэлектроника и диэлектрическая электроника. Оптоэлектроника возникла в последние годы на стыке физики твердого тела и физической оптики. Физика твердого тела и полупроводниковая технология позволили создать микроскопические устройства для преобразования электрических сигналов в световые и световых в электрические. Возникла также волоконная оптика, позволяющая направлять свет по любому, прямолинейному или криволинейному, пути между элементами схемы, подобно тому, как по металлическим проводам движется электрический ток. Таким образом, потенциальные возможности физики твердого тела
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.