Полупроводниковые приборы на эффекте междолинного перехода электронов

Страницы работы

7 страниц (Word-файл)

Фрагмент текста работы

7. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ НА ЭФФЕКТЕ МЕЖДОЛИННОГО ПЕРЕХОДА ЭЛЕКТРОНОВ

7.1. Принцип действия генераторов Ганна

Генератор Ганна - это полупроводниковый прибор, действие которого основано на появлении отрицательного дифференциального сопротивления под воздействием сильного электрическою поля, предназначенный для генерации и усиления СВЧ - колебаний.

7.1.1. Физические основы отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС)

Рассмотрим вначале зависимостьr  энергии свободного электрона, находящегося в вакууме, от его импульса P (рис. 7.1). Энергия такого электрона

W = m0vr2 = m02vr2 = Pr2 ,                                           (7.1)

2           2m0         2m0

где vr - вектор скорости свободного электрона; m -0 его масса. Зависимость, представленная на рис. 7.1, является энергетической диаграммой свободных электронов в вакууме, изображенной в пространстве импульсов или в пространстве волновых векторов


r r = hkr = 2hπ kr).

k ( P

                            

            Рис. 7.1. Зависимость энергии        свободного электрона,               находящегося в вакууме,   от его импульса

Рис. 7.2. Структура энергетических зон

арсенида галлия n-типа в кристаллографическом направлении [100]


В полупроводниковом кристалле свободный электрон можно считать свободным только условно, так как на электрон в кристалле действует периодическое потенциальное поле кристаллической решетки. Чтобы описать сложные законы движения электрона в кристалле с помощью соотношений, совпадающих по форме с законами классической механики, можно учесть влияние внутренних сил на электрон, изменив соответствующим образом значение его массы, т. е. введя понятие некоторой эффективной массы электрона (или дырки). Таким образом, эффективная масса - это коэффициент пропорциональности в законе, связывающем внешнюю силу, действующую на электрон в кристалле, с его ускорением.

Энергетическая диаграмманекоторых полупроводников, построенная в пространr

ствеквазиимпульсов (в k - пространстве), может иметь несколько минимумов. Например, в зоне проводимости арсенида галлия имеются два минимума, эффективные массы электронов в которых существенно различаются (рис. 7.2). Электроны, занимающие уровня, расположенные в центральном  минимуме,  называют легкими (т*1 = 0,072m0, m0 - масса свободного электрона), а в боковом минимуме - тяжелыми (т*2 = 1,2т0 ) . Так как подвижность обратно пропорциональна m*, то легкие электроны имеют высокую подвижность µ1 ≈ (5...8) •103 см2/(В•с), а тяжелые - низкую µ2 ≈ 100 см2/ (В•с).

Соотношение между концентрациями «легких» n1 и «тяжелых» п2 электронов изменяется при изменении напряженности электрического поля, так как в сильном электрическом поле (при напряженности, большей порогового значения Е > Eпор) электроны, приобретая дополнительную энергию, превышающую ∆Ec) (рис. 7.2), переходят в боковые долины и становятся «тяжелыми». Если при этом еще не происходит заметной ударной ионизации, то общая концентрация электронов остается неизменной и равной равновесной концентрации:

n1 + п2 = n0.

Обозначив подвижность «легких» электронов µ1, подвижность «тяжелых» электронов µ2 , выражение для плотности тока через кристалл запишем так:

J = q(n1µ +1 n2µ2)E .                                                   (7.2)

При слабых электрических полях (Е < Eпор) практически все электроны находятся в центральной долине, n1 n0 и плотность тока при этом J = qn0µ1E , что соответствует участку 1 ВАХ кристалла полупроводника (рис. 7.3). При сильных электрических полях (E >> Eпор) можно предположить, что практически все электроны приобретут добавочную энергию, большую ∆Ec , и окажутся в боковой долине. В этом случае n2 n0 и J = qn0µ2E , что соответствует участку 3. При средних напряженностях электрического поля, лишь немного превышающих пороговую, плотность тока

Похожие материалы

Информация о работе