Концентрация неосновных носителей в германиевых материалах. Напряженность электрического поля в запирающем слое

1.11. Лавинный пробой ( Uст >6B) ,туннельный пробой(Uст<6B).

1.12. При прямом включении к p-области подключается положительный полюс источника, а к n-области отрицательный. (прямую полярность)

1.13. При обратном включении к n-области подключается положительный полюс источника, а к p-области отрицательный.(обратную полярность)

1.14.Точка перехода к крутому участку ВАХ

1.15.Германий 0,2-0,4В, кремний 0,5-0,8В.

1.16.При контактной разности потенциалов.

1.17.Напряженность электрического поля в запирающем слое уменьшается, потенциальный барьер уменьшается до величины Uk-Uпр.

1.18.Потенциальный барьер увеличивается до величины Uk+Uпр.                                                                                                                                                                                            

2.1.Rд.пр=dUпр/dIпр

2.2.Rо.пр=Uпр/Iпр

2.3.От температуры и от технологического разброса параметров.

2.4.Uпр постоянное прямое напряжение при заданном прямом токе ,Iпр прямой ток, Uобр обратное напряжение,Iобр обратный ток.

2.5.rд=dUст/dIст(I=Iст.ном)

2.6.Обратная ветвь

2.7.Динамическое сопротивление должно быть маленьким

2.8.

3.1.В схеме включения оэ больше входное сопротивление.

3.2.Усиление по току мощности и напряжению.

3.3.-3.5.

3.6.В=а/(1-а)

3.7. Физический смысл h параметра. h₁₁=DU₁/DI₁ –входное сопротивление

h₂₁=DI₁/DI₁- коэффициент передачи тока

h₁₂=DU₁/DU₂ коэффициент обратной связи по напряжению

h₂₂=DI₂/DU₂ –выходная проводимость

3.8. Концентрация основных носителей (электронов) в эмиттере превышает концентрацию основных носителей (дырок) в базе, т.к. эмиттерную область легируют примесями значительно больше чем базу. Эмиттер выполняется в большей концентрации.

3.9. Uкэ=Eк-Iк*Rк

3.10. от 100 до 1000 Ом

3.11.-3.12

3.13. Основные параметры биполярных транзисторов следующие:

- максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер U_{кэ макс};

- максимальное обратное напряжение перехода база-эмиттер U_{бэ обр};

- максимально допустимый ток коллектора I_{к макс};

- максимальный обратный ток перехода база-коллектор I_кб0;

- максимально допустимая мощность, рассеиваемая транзистором P_{к макс;}

- коэффициент передачи тока H_21э;

- время рассасывания t_расс избыточных зарядов;

- напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения U_{кэ нас};

- модуль коэффициента передачи тока ½h_21э½ при заданной частоте f_т.;

3.14.I_б=I_э-I_к

4.1.Сток, исток, затвор.

4.2. Основные параметры полевых транзисторов следующие:

- максимально допустимое напряжение сток-исток  U_{си макс};

- максимально допустимый ток стока  I_{с макс};

- максимально допустимая мощность, рассеиваемая транзистором P_{с макс;}

- крутизна характеристики  S;

- межэлектродные емкости  С_зи,  С_сз,  С_си;

- время задержки включения  t_{зад вкл}, время задержки выключения  t_{зад выкл}, время нарастания тока стока  t_нар, время спада тока стока  t_сп;

- сопротивление канала в открытом состоянии  R_{си откр};

4.3.Напряжение отсечки - это напряжение, при котором отсутствует канал, а ток стока при этом пренебрежительно мал и определяется потоком не основных носителей.

4.4.Пороговое напряжение- концентрация дырок в канале становится нулевой и ток стока изменяется практически до нуля.

4.5.1-Подлошка p-типа

2-Слой n-типа

3-Область истока

4-Область затвора

5-Область стока

4.6.         1-Обложка n-типа

2-Область истока

3-Область стока

4-Вывод истока

5-Выводж стока

6- Электрод затвора

7-Слой диэлектрика

8-Электрод подложки            

4.7.     

4.8.Рабочая полярность напряжения на затворе в полевом транзисторе с каналом p-типа с управляющим p-n переходом - положительно.

4.9. Рабочая полярность напряжения на затворе в полевом транзисторе с каналом p-типа с индуцированным каналом - отрицательная.   

4.10. Рабочая полярность напряжения на затворе в полевом транзисторе с каналом p-типа со встроенным каналом - положительно.

4.11. Рабочая полярность напряжения на затворе в полевом транзисторе с каналом n-типа управляющим p-n переходом - отрицательная. 

4.12. Рабочая полярность напряжения на затворе в полевом транзисторе с каналом n- типа с индуцированным каналом - положительна.

4.13. Рабочая полярность напряжения на затворе в полевом транзисторе с каналом n-типа со встроенным каналом - отрицательная.

4.14.Стоко-затворные характеристики транзистора с управляющим p-n переходом для канала n-типа.

4.15.                                   4.16.-4.17.                                                                  4.18.-4.19        

4.20-4.21

4.22- 4.23.

4.24-4.25