Электротехника \ Физические основы электротехники

Исследование полевого транзистора. Схема для снятия статических характеристик полевого транзистора. Стоковые характеристики транзистора

Страницы работы

6 страниц (Word-файл)
Скачать файл

Содержание работы

Федеральное агентство железнодорожного транспорта

Уральский государственный университет путей сообщения

Кафедра "Электроники"

Отчёт по лабораторной работе №5

по дисциплине: Физические основы электротехники

« Исследование полевого транзистора»

Проверил:

преподаватель

                               Выполнил:

                           студент 3 курса

                                    группы Т-316

                                    .                                 

Екатеринбург

2008

Цель работы: ознакомление с физическими основами работы полевых транзисторов, исследование их характеристик и определение статистических параметров.

Паспортные данные полевого транзистора

(с управляющим p-n переходом, с каналом p-типа)

КП103Г

Начальный ток стока (при Uзи=0) Iсн, мА

3,0-6,6

Крутизна стокозатворной характеристики S, мА/В

1,8-3,8

Напряжение отсечки Uотс, В

2,0-6,0

Ток утечки затвора Iз. ут, нА

10

Входная ёмкость Сзи, пФ

17

Предельно допустимые параметры

Напряжение затвор-сток Uзс. max, В

17

Напряжение сток-исток Uси. max, В

10

Мощность рассеивания Рmax, мВт

120


Рисунок 1 – Схема для снятия статических характеристик полевого транзистора

Таблица №1

Uси, В

1

2

4

6

8

10

Iс, мА

120

60

30

20

15

12

Таблица №2

Uси, В

Uзи, В

0

0,5

1

2

2,2

2,4

Uзи. отс.= 2,5 В

- 5 В

Iс, мА

5,9

5,8

5,8

5,6

1,3

0,2

0

- 10 В

10

10

10

9

7,5

2

0

Таблица №3

Uзи,В

Uси,В

0,1

-0,5

-1

-2

-4

-6

-8

-10

0

0

0,75

1,12

1,9

4,1

7,5

9,1

11,2

0,5

0

0,8

1,2

2,1

4,2

7,6

9,3

11,4

1

0

0,9

1,4

2,3

4,4

7,8

9,6

11,8

2

0

0,98

1,5

2,4

4,5

8

9,8

12

3

0

1

1,6

2,6

4,8

9,1

10,4

12,7

Рисунок 2- статистические характеристики полевого транзистора с встроенным каналом p – типа

Рисунок 3 – стоко – затворные характеристики транзистора

Рисунок 4 – стоковые характеристики транзистора

Крутизна стокозатворной характеристики при Uси=const

Uси=-5; S=(0-5,9)/(2,5-0)=2,36 мА/В

Uси=-10; S=(0-10)/(2,5-0)=4мА/В

Внутренне сопротивление при Uзи=const

Uзи=3; Ri=(-8+6)/(10,4-9,1)=1,54 Ом

Uзи=1; Ri=(-6+4)/(4,4-2,3)=0,95 Ом

Коэффициент усиления по напряжению,

μ =(-10+5)/(2,4-2,2)=25

Вывод:

В ходе данной работы ознакомились с физическими основами работы полевых транзисторов, исследовали их характеристики и определения статических параметров.

Расчитаные параметры транзистора входят в интервал паспортных данных:

S=2,36 мА/В входит в интевал паспортных данных S=1,8-3,8 мА/В

Uзи. отс.= 2,5 В входит в интервал паспортных данных Uзи. отс.= 3,0-6,6В

При уменьшении Uси характеристика смещается вверх. При напряжении на затворе, называемом напряжение отсечки, канал отсутствует, и ток стока при этом пренебрежительно мал и определяется в основном потокои массивных носителей.

При увеличении Uзи характеристика смещается вниз, токи излома характеристик соответствуют напряжениям насыщения, причём с возрастанием абсолютной величины напряжения на затворе напряжение насыщения увеличивается.

Приналичии напряжения между стоком и истоком ток через канал будет протекать при нулевом напряжении на затворе. При некотором напряжении   Uзи  тк стока уменьшается практически до нуля.

Похожие материалы

Информация о работе

ВУЗ:
Уральский государственный университет путей сообщения (УрГУПС)
Предмет:
Физические основы электротехники
Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Категория:
Электротехника (Технические предметы)
Размер файла:
223 Kb
Скачали:
0
Скачать файл