Исследование транзисторных ключей. Теоретические формулы и расчеты. Параметры транзистора принятые в расчетах, страница 2

Зависимости от емкости форс. Конденсатора

[нФ]

[мкс]

[мкс]

[мкс]

0,16

0,3

0,3

24

0,33

0,2

0,2

21

0,68

0,1

0,2

5

1,5

0,1

0,1

3

3

0,1

0,1

2

5,1

0,1

0,2

3

10

0,1

0,3

3

22

0,1

0,4

3

Согласно полученной таблице, оптимальное значение находится между 0,33 нФ и 1,5 нФ. В данный диапазон попадает расчетная номинальная емкость. Тем не менее, расчетные характеристики процесса опять превышают экспериментальные. Таким образом, можно опять предположить, что данный экземпляр транзистора имеет более высокую предельную частоту работы и потому его насыщение и рассасывание накопленного заряда происходит быстрее, чем по расчетам.

Выводы

Опыт 2

В данном опыте мы наблюдаем, рост времени рассасывания с увеличением длительности импульса. Изменение параметра при временах больше 20 мкс почти прекращается. Это можно объяснить тем, что за короткий импульс транзистор не входит в насыщение в должной степени (S – меньше расчетной). Это означает уменьшений накопленного заряда и, соответственно, время его рассасывания.

Время фронта меняется незначительно и для разных длительностей импульсов оказывается почти одинаковой. Небольшую разность можно объяснить тем, что при снятии диаграммы переходных процессов использовались все более грубые диапазоны осциллографа.

Время рассасывания возрастает. Если считать, что процесс разряда во всех случаях происходит по экспоненте с одинаковым показателем, то этот параметр зависит от верхней точки экспоненты (накопленного заряда – возрастает с россом длительности импульса).

Опыт 3

Время фронта уменьшается с увеличением тока базы за счет того, что больший ток быстрее вводит транзистор в режим насыщения.

Увеличение времени рассасывания объясняется увеличением максимального заряда накопленного транзистором (мы вводим его в более сильное насыщение). Увеличение накопленного заряда напрямую связано с увеличением тока базы.

Уменьшение времени спада может быть объяснено увеличением времени рассасывания. Если принять, что показатель экспоненты разряда одинаков во всех случаях, то суммарное время разряда меняется медленнее, чем время рассасывания (поскольку это нижняя часть экспоненты).

Опыт 4

Время фронта от Iб2 не зависит. Это объясняется малой величиной данного тока по сравнению с Iб1. Потому на введение ключа в насыщения данный параметр влияет мало.