При включении питания или при нажатии на кнопку “Сброс” на вход RST “1” должна подаваться на период, не меньший 24 тактов (2 мкс ). Для задержки необходимо использовать фильтр с ёмкостью С3 = 10 мкФ ( К76 - 3 - 10 мкФ ± 25%) и сопротивлением R1 = 8,2 кОм (Р1 - 4 - 0,5 - 8,2 кОм± 5%В). Тогда обеспечивается задержка в 41 мс, чего вполне достаточно для перезапуска микроЭВМ.
Для правильного общения ОМЭВМ с периферийными устройствами и памятью необходимы внешние регистр адреса (RGA) и шинный формирователь данных (BFD). Для защелкивания адреса вполне достаточно регистра разрядностью 8 (разряды адреса А0 - А7). Так как данные в разрабатываемой МПС 8-разрядные, то в BFD также достаточно наличия восьми разрядов. Адрес в RGA необходимо защелкивать по сигналу ALE процессора. Формирователь данных BFD должен пропускать данные в обоих направлениях. Переключение направления производится по сигналу NRD процессора, причём когда этот сигнал “1”, то передаём данные, а если “0”, то принимаем. В качестве RGA возьмём микросхему КР1554ИР23, а в качестве BFD - КР1554АП6. Эти микросхемы обеспечивают требуемую разрядность и просты в управлении. Причём в RGA адрес будет фиксироваться по спаду сигнала ALE. Выход регистра при этом никогда не переводится в третье состояние.
Электрическое сопряжение шин адреса и данных ( в данном варианте - только данных), будет рассмотрено позднее.
Сама схема модуля ОЗУ представлена на рис. 3.
Исходя из требуемых объёмов памяти, вычисленных ранее, можно выбрать микросхемы для реализации с их помощью модуля памяти данных. Этот же модуль сделаем и энергонезависимым - так как он будет обладать достаточным для этого объёмом.
Для требуемых 2 КБайт ОЗУ можно взять всего лишь одну микросхему КР537РУ8А (2К х 8). Эта микросхема имеет, например, следующие преимущества над другими: большая информационная ёмкость (что сокращает число корпусов на плате ), удобная организация (2К х 8 - можно “повесить” одну микросхему на всю ШД ), также у такой микросхемы малая мощность потребления на единицу информационной ёмкости ( 80 мВт ). На адресные входы данного ОЗУ подадим 11 младших разрядов шины адреса, а на вход CS будет подан двенадцатый разряд ША (А11) - так как при обращении к ОЗУ он всегда будет равен “0”.
Данный модуль превращается в энергонезависимое ОЗУ путём добавления резервного источника питания для микросхемы. Резервный источник питания имеет пониженное напряжение (3В) и выбор альтернативного источника осуществляет пара диодов VD1 и VD2 (КД 522Б ). При пониженном напряжении (3В) от резервного источника питания нельзя производить запись в ОЗУ или чтение из него, но записанная ранее информация будет сохранена.
Сигнал записи / чтения (WR/RD) формируется в данной микросхеме по соответствующим сигналам от микропроцессора, взятым по ИЛИ.
Этот блок должен обеспечивать ввод четырёх дискретных величин X1 - X4 и трёх аналоговых X5 - X7, а также вывод трёх дискретных Y1 - Y3 и одной аналоговой Y4 ( блок изображён на рис. 4 ).
Для ввода и вывода дискретных величин лучше всего применить микросхему КР580ВВ55А - программируемое устройство ввода / вывода параллельной информации. Канал А будем использовать для ввода значений X1 - X4, канал В - для вывода X5 - X7, а к каналу С будет подключен ЦАП для вывода значения Y4. Этот параллельный интерфейс будет выбираться сигналом CS0 системного дешифратора. В качестве ЦАП, подключенного к каналу С параллельного порта, возьмём микросхему К572ПА1А, из десяти разрядов которой используем только 8. На выход ЦАП поставим операционный усилитель КР140УД8 для приведения параметров выходного сигнала Y4 до нужного уровня.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.