Основные параметры биполярных транзисторов. Выбор транзистора по предельно допустимым параметрам. Основные параметры

Страницы работы

Уважаемые коллеги! Предлагаем вам разработку программного обеспечения под ключ.

Опытные программисты сделают для вас мобильное приложение, нейронную сеть, систему искусственного интеллекта, SaaS-сервис, производственную систему, внедрят или разработают ERP/CRM, запустят стартап.

Сферы - промышленность, ритейл, производственные компании, стартапы, финансы и другие направления.

Языки программирования: Java, PHP, Ruby, C++, .NET, Python, Go, Kotlin, Swift, React Native, Flutter и многие другие.

Всегда на связи. Соблюдаем сроки. Предложим адекватную конкурентную цену.

Заходите к нам на сайт и пишите, с удовольствием вам во всем поможем.

Фрагмент текста работы

Вопрос 1: Основные параметры биполярных транзисторов. Выбор транзистора по предельно допустимым параметрам.

Основные параметры:

1.  h21е – коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ в режиме малого сигнала на высокой частоте;

2.  Iкбо, мA – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении КБ и разомк. выводе эмиттера

3.  f гр, МГц – Частота, на которой коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ экстраполируется к единице;

4.  Uкэ нас, B – напряжение на КЭ в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора

5.  Uбэ нас, B – напряжение на БЭ в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора

Транзистор выбирают по предельно допустимым параметрам:

1.  Iк max, A – максимально допустимый постоянный ток коллектора;

2.  Iки max, A – максимально допустимый импульсный ток коллектора, в течении заданного времени;

3.  Iб max, A – максимально допустимый постоянный ток базы;

4.  Uкб max, B – максимально допустимый обратное напряжение на коллекторном

5.  Uкэ max, B – максимально допустимый напряжение на коллекторно-эмиттерном (К-Э) переходе;

6.  UкэR max, B – максимально допустимый постоянное напряжение К-Э при заданном сопротивлении в цепи базы

7.  Uэб max, B – максимально допустимый постоянное напряжение на эмиттерном  переходе;

8.  Pk max,Вт – постоянное значение мощности рассеиваемой на коллекторном переходе;

9.  tк max  –  максимально допустимая температура коллекторного перехода;

10.  Rt, град/Вт – тепловое сопротивление коллектора.

Параметры выбираемого транзистора должны находиться в области допустимых значений (область заштрихована).

Вопрос 2: Работа транзистора на нагрузку. Статическая и динамическая линии нагрузки. Классы усилителей на транзисторах: А, В, АВ.

 - статическая линия нагрузки.

В зависимости от класса усилителя определяется положение точки покоя [Uок, Iок].

Усилители делятся на классы в зависимости от угла отсечки тока активного прибора (в градусах).

Класс А – характеризуется тем, что в течении всего периода сигнала, через активный прибор протекает ток. Точку покоя в классе А выбирают в активной области, как правило в центре СЛН (угол отсечки 180 град).

                          

Класс В – ток через активный прибор протекает в течении полупериода и при отсутствии сигнала ток равен нулю. А для формирования синусоидального сигнала применяют двухтактные каскады класса В. В классе В точка покоя соответствует режиму отсечки (угол отсечки 90 град).

                   

Класс АВ – сочетает преимущества класса А по малым нелинейным искажениям и класса В по высокому КПД. Усилители класса АВ представляют собой  двухтактные каскады класса В, только точка покоя смещена вверх по СЛН. Таким образом, в отличии от класса В,  исключается зона нечувствительности и уменьшается нелинейность ВАХ на начальном участке.

Динамическая линия нагрузки.

Постоянный ток – статическая линия нагрузки.

Переменный ток – динамическая линия нагрузки.

             

при работе на переменном токе, ставят разделительные конденсаторы для исключения постоянной составляющей. Наличие разделительного конденсатора приводит к тому, что эквивалентное сопротивление цепи коллектора на постоянном токе не равно эквив. сопротивлению на переменном.

                 

  ;       

Вопрос 3.

В полевом транзисторе с объемным каналом площадь поперечного сечения канала меняется за счет изменения площади обедненного слоя обратно включенного p-n-перехода. На рис. 1 показан полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, включенный по схеме с ОИ. При ее анализе все напряжения будем рассматривать с учетом их знаков.

На р-n-переход (затвор—исток) подается обратное напряжение

Похожие материалы

Информация о работе

Уважаемые коллеги! Предлагаем вам разработку программного обеспечения под ключ.

Опытные программисты сделают для вас мобильное приложение, нейронную сеть, систему искусственного интеллекта, SaaS-сервис, производственную систему, внедрят или разработают ERP/CRM, запустят стартап.

Сферы - промышленность, ритейл, производственные компании, стартапы, финансы и другие направления.

Языки программирования: Java, PHP, Ruby, C++, .NET, Python, Go, Kotlin, Swift, React Native, Flutter и многие другие.

Всегда на связи. Соблюдаем сроки. Предложим адекватную конкурентную цену.

Заходите к нам на сайт и пишите, с удовольствием вам во всем поможем.