Электротехника \ Полупроводниковые приборы

Исследование полупроводниковых стабилитронов. Ознакомление с работой полупроводниковых диодов в режиме пробоя, исследование ВАХ диодов

Страницы работы

4 страницы (Word-файл)
Посмотреть все страницы
Скачать файл

Содержание работы

Лабораторная работа №2.

Исследование полупроводниковых стабилитронов.

Цель работы: ознакомиться с работой полупроводниковых диодов в режиме пробоя, исследование ВАХ      диодов.

Ход работы:

1. Сняли ВАХ для трёх типов стабилитронов, построили их ВАХ:

Табл. 1 – КС133А

Uобр, В

1

2

2,5

3

3,14

3,25

3,34

3,4

3,47

3,51

3,55

3,6

Iобр,mA

0,04

0,18

1,1

4,05

6

8

10

12

14

16

18

20

Uст = 3,2 В

Табл. 2 – КС162А

Uобр, В

-6,34

-6,3

-6,2

-6,1

-6

-5,8

-5,7

-5,5

-4

-1

Iобр,mA

-14,7

-10,7

-5,9

-3,7

-2,5

-1,4

-0,96

-0,48

-0,06

-0,07

Uобр, В

0

1

4

5,5

6

6,1

6,2

6,3

6,35

6,4

6,45

6,49

Iобр,mA

0

0,07

0,07

0,34

1,16

1,6

2,4

3,8

4,9

6,7

9,8

14,7

Табл. 3 – КС191

Uобр, В

1

8

8,5

8,55

8,6

8,65

Iобр,mA

0,06

0,07

1,1

2,3

6,9

9,9

2. Справочные параметры:

Uст, В

∆Uа

δст, %

rст, Ом

КС133А

3 - 3,7

-

+/- 10

6,5

КС162А

6,2

+/- 0,4

+/- 6

35

КС191

9,1

-

+/- 5

18

Результаты измерений:

Uст, В

∆Uа

δст, %

rст, Ом

КС133А

3,2

-  

-  

129

КС162А

6,49

-  

-  

436

КС191

8,65

-  

-  

822

3. Собрали схему:

R = 620 Om

Uв1 = 12 B

Uв2 = 16 B

Rн = 2000 Om

Рассчитали параметры стабилизатора напряжения на двуханодном стабилитроне. Результаты занесли в таблицу :

Rн=2 кОм

Iн=0

Rн=0

Iст=6,25 мА

Uн=6,2 В

Uн=0 В

Iн=3,1 мА

Iв=Iст=9,35 мА

Iв=Iст=19,3 мА

Uв1=12 В

Iв=9,35 мА

Iст=12,7 мА

Uн=6,2 В

Uн=0 В

Iн=3,1 мА

Iв=Iст=15,8 мА

Iв=Iст=25,8 мА

Uв2=16 В

Iв=15,8 мА

Кст1=4,92

КПД1а=0,18

КПД2а=0,53

Rвых

Кст2=3,73

КПД1б=0,21

КПД2б=0,39

4. Собрали схему для исследования параметрического стабилизатора. Измерили показания приборов.

Рассчитали параметры стабилизатора. Данные занесли в таблицу:

Rн=2 кОм

Iн=0

Rн=0

Iст=6,52 мА

Uн=6,31 В

Uн=0 В

Iн=2,34 мА

Iв=Iст=8,8 мА

Iв=Iст=18,3 мА

Uв1=12 В

Iв=8,86 мА

Iст=12,46 мА

Uн=6,38 В

Uн=0 В

Iн=2,39 мА

Iв=Iст=14,82 мА

Iв=Iст=24,6 мА

Uв2=16 В

Iв=14,85 мА

Кст1=4,81

КПД1а=0,15

КПД2а=0,48

Rвых

Кст2=3,62

КПД1б=0,18

КПД2б=0,36

5. Изменяя сопротивление нагрузки, сняли зависимости Uн(Iн), Iст(Iн), Iв(Iн) для U=12 В. Построили графики полученных зависимостей :

Вывод: ознакомились с работой полупроводниковых диодов в режиме пробоя, исследовали ВАХ                           диодов.

Министерство образования Республики Беларусь

Гомельский государственный технический университет им. П.О. Сухого

Кафедра ПЭ

Лабораторная работа № 2

Исследование полупроводниковых стабилитронов.

Похожие материалы

Информация о работе

ВУЗ:
Гомельский государственный технический университет им. П.О. Сухого (ГГТУ им. Сухого)
Предмет:
Полупроводниковые приборы
Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Категория:
Электротехника (Технические предметы)
Размер файла:
148 Kb
Скачали:
0
Скачать файл