Исследование полупроводниковых стабилитронов. Ознакомление с основными физическими процессами, протекающими в р-n-переходе в режиме пробоя, страница 2

	Стабилитрон ”двуанодный ”
Uобр. B	1	2	6,39	6,6	6,74	6,88	6,93	6,96
Iобр.mA	0	0	0,5	1	2	5	8	12

Обратная ветвь ВАХ

	Стабилитрон ”двуанодный ”
Uобр. B	-1	-2	-5	-6,2	-6,5	-6,7	-6,8	-6,9	-6,99
Iобр mA	0	0	-0,05	-0,5	-1	-2	-5	-8	-12

2.Построим ВАХ стабилитронов. Рассчитаем параметры  Uст.,   Uст.[%], rст[Ом]

Uст. Определим по ВАХ

Uст. max-Uст. min

rст.=

Iст. max-Iст. min

Uqст.-Uн ст.

Uст.[%]=                        * 100%

Uqст

Uqст.- справочное значение.

1.Низковольтный стабилитрон

3,43-3,22

rст=                           =30 Ом

(15-8)*10-3

5-3,31

    Uст=             *100%=33,8%

5

2.Стабилитрон двуханодный Uст2=6,85 В, Uст1=5,88 В, Iст1=Iст2

HUст= |Uст1- Uст2|=|5.88-6.85|=0.97

6.26-5.88

rст1=                 -3   =38 Ом

(12-2)*10       

6.99-6,61

rст2=                     -3  =38.77 Ом

(12-2,2)*10       

3.Стабилитрон VD6 ,Uст=8.53 В

8,66-8,35

rст.=                     -3  =36,05 Ом

(10-1,4)*10       

3.Собираем схему для исследования параметрического стабилитрона рис. 2.Измерим Uн, Iв, Iст, Iн. При Rн=2KОм,  Iн=0(ХХ), Rн=0(КЗ). Рассчитать параметры стабилитрона. Данные заносим в таблицу.

	Rн=2KОм	Iн=0	Rн=0
Uв1=12 В	Uн=6,83В. Iн=3,43мА Iст.=4.77мА. Iв=8,2мА	Uв=6,89В Iв=8,09мА Iст.=8,09мА	Iв=Iн=18,68мА.
Uв2=16 В	Uн=0,96В. Iн=3,44мА Iст.=10,87мА Iв=14,31мА	Uн=6,98В Iв=Iст.=14,27мА	Iв=Iн=25,2мА.
Rвых=13 Ом	Кст.=13,38	КПД1=0,238	КПД2=0,104

dUн      6,83-6,96     0,13

Rвых=         =                   =          =13 Ом

dIн        3,43-3,44     0,01

dUв    Uн       16-12       6.96

Кст. =                    =                            = 13.38

Uв     dUн          12         0.13

Pн1       6,83*3,43

КПД1=             =                     = 0,238

Pв1       12*8,2

6,96*3,44

КПД2=                   = 0,104

16*14,31

4.Расчитаем параметры стабилитрона напряжения на двуханодном стабилитроне для R=620 Ом, Uв1=12 В, Uв2=16 В, номинальной нагрузке R=2 кОм, Rст=1404 Ом.

Rст *Rн

Rвх=R+                 = 1445 Ом

Rст +Rн

5.Изменяя сопротивление нагрузки, начиная с опыта №3, снимаем зависимости Uн=f(Iн),

Iст=f(Iн), Iв=f(Iн), для Uв=12 В. Выберем точку перегиба нагрузочной характеристики.

Построим графики совместно с теоретическими.

Uн В	0	0,26	1,03	2,01	3	4,01	5	6,02	6,75	6,25	6,35	6,45
Iн мА	18,6	18,48	17,29	15,74	14,17	12,58	10,97	9,16	5,53	8,59	8,29	7,93

Iст мА	0	0,02	0,02	0,03	0,01	0,01	0,05	0,27	2,34	0,43	0,62	0,82
Iн мА	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

Iв мА	18,6	18,5	17,31	15,77	14,18	12,59	11,02	9,43	8,27	9,02	8,91	8,75
Iн мА	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

Вывод: ознакомились с основными физическими процессами, протекающими в р-n-переходе в режиме пробоя, ознакомились с типами пробоя полупроводниковых диодов, исследовали ВАХ  и определили нормируемые параметры полупроводникового низковольтного, двуханодного и прецизионного стабилитронов, исследовали параметрическое  напряжение стабилизатора .