ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
Микроэлектроника и микроэлектронные изделия
Микроэлектроника — область электроники, охватывающая проблемы исследования, конструирования, изготовления и применения микроэлектронных изделий.
Микроэлектронное изделие — электронное устройство с высокой степенью миниатюризации.
Интегральная микросхема — микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и (или) кристаллов, которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое.
Элемент ИМС — часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. Под электрорадиоэлементом понимают транзистор, диод, резистор, конденсатор и др.
Компонент ИМС — часть интегральной микросхемы, реализующая функции какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.
Полупроводниковая ИМС — интегральная микросхема, все элементы и Межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности Полупроводника.
Пленочная ИМС — интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок. Частными случаями пленочных интегральных микросхем являются тонкопленочные и Толстопленочные ИМС.
Тонкопленочная ИМС — интегральная микросхема с толщиной пленок до 1 мкм, элементы которой изготовляются преимущественно методами вакуумного распыления и осаждения.
Толстопленочная ИМС — интегральная микросхема с толщиной пленок 10—70 мкм, элементы которой изготовляются методами трафаретной печати (сеткография).
Гибридная ИМС — интегральная микросхема, содержащая, кроме элементов, компоненты и (или) кристаллы. Частным случаем гибридной интегральной микросхемы является многокристальная интегральная микросхема.
Аналоговая ИМС — интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Частным случаем аналоговой ИМС является микросхема с линейной характеристикой (линейная микросхема).
Цифровая ИМС — интегральная микросхема, предназначенная для запоминания и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. Частным случаем цифровой микросхемы является логическая микросхема.
Корпус ИМС — часть конструкции интегральной микросхемы, предназначенная для защиты микросхемы от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов.
Подложка ИМС — заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных интегральных микросхем, межэлементных и (или.) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.
Плата ИМС — часть подложки (подложка) гибридной (пленочной) интегральной микросхемы, на поверхности которой нанесены пленочные элементы микросхемы, межэлементные и межкомпонентные соединения и контактные площадки.
Полупроводниковая пластина — заготовка из полупроводникового материала, используемая для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем.
Кристалл ИМС — часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.
Контактная площадка ИМС — металлизированный участок на плате или на кристалле, служащий для присоединения выводов компонентов и интегральных микросхем, перемычек, а также для контроля ее электрических параметров и режимов.
Бескорпусная ИМС — интегральная микросхема, не защищенная корпусом и предназначенная для использования в гибридных интегральных микросхемах, мнкросборках, герметизируемых блоках и аппаратуре.
Вывод бескорпусной ИМС — проводник, соединенный с контактной площадкой кристалла интегральной микросхемы и предназначенный для электрического соединения и механического кроплении бсскорпусной интегральной микросхемы при ее соединении с внешними электрическими цепями. Выводы бескорпусной ИМС могут быть жесткими (шариковые, столбиковые, балочные) и гибкими (лепестковые, прополочные).
Гибкие выводы бескорпусной ИМС для механического кропления не применяются.
Плотность упаковки ИМС-—отношение числа умещающихся компонентов интегральной микросхемы к ее объему (объем выводов не учитывается).
Степень интеграции ИМС — показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Определяется формулой K=lnN, где K- коэффициент, определяющий степень
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
