МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«ИЖЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Кафедра «Сети связи и телекоммуникационные системы»
Лабораторная работа №1
по предмету «Электроника»
Тема: Исследование полупроводниковых диодов
Выполнил:
студент гр.4-28-1
Проверил:
преподаватель
Ижевск
2006
Цель работы: с помощью ППП «Electronics Workbench» исследовать свойства различных типов полупроводниковых диодов.
Ход работы:
1. Исследование свойств выпрямительных диодов
Собираем схему электрической цепи для исследования в программе моделирования и анализа электрических схем «Electronics Workbench». Схема выглядит следующим образом:
Изменяя переменным резистором напряжение, подаваемое на выпрямительный диод, снимаем зависимость тока диода от напряжения на диоде ( прямая ветвь вольтамперной характеристики) при комнатной температуре (27 ºС). Аналогичные измерения проводим при повышенной температуре (100 ºС). Значения токов и напряжений занесём в таблицу, и построим по этим значениям ВАХ разных типов диодов при различных температурах:
ВАХ кремниевого диода SB360
При 27ºС При 100ºС
мВ мА мВ мА
ВАХ германиевого диода MBRS140T3
При 27ºС При 100ºС
мВ мА мВ мА
2. Исследование свойств полупроводниковых стабилитронов
Для снятия обратной ветви ВАХ полупроводникового стабилитрона соберём соответствующую схему:
Снимем зависимость тока стабилитрона от напряжения стабилитрона, изменяя напряжение источника питания от 0 до 20В с шагом 1В. По данным измерений строим обратную ветвь ВАХ стабилитрона 1N6002B:
мВ мА
Вывод:
Вид ВАХ, а значит и свойства диодов зависят от материала, из которого изготовлен диод. При этом вид ВАХ одного диода при разных температурах неодинаков: с повышением температуры среды ВАХ сдвигается в сторону уменьшения напряжения.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
