Полупроводник. Удельное электрическое сопротивление полупроводников. Энергетическая диаграмма полупроводника

плюс на область эмиттера, плюс на область коллектора; ( Ира)

2) минус на область эмиттера, минус на область коллектора; (Наташа)

106. Активный режим работы биполярного транзистора типа n-p-n обеспечивается подключением внешних источников

минус к области эмиттера, плюс к области коллектора;

107. У биполярного транзистора больше площадь

коллекторного перехода;

108. Эффективность эмиттера (коэффициент инжекции) это

как велика доля вводимых в базу неосновных носителей в общем токе эмиттера;

109. Эффективность коллектора биполярного транзистора характеризуется

отношение тока коллектора к его составляющей, обусловленной током эмиттера;

110. Коэффициент переноса биполярного транзистора характеризует

долю неосновных носителей, захваченных коллекторным переходом, в общем количестве неосновных носителей, инжектированных в базу эмиттером;

111. Ток эмиттера и ток инжекции неосновных носителей в базу соотносятся так

ток эмиттера больше;

112. Обратный ток коллекторного перехода обусловлен

неосновными носителями заряда, имеющимися в области базы и в области коллектора;

113. Интегральный коэффициент передачи тока эмиттера определяется

;

114. Коэффициент передачи тока эмиттера меньше единицы потому, что

происходит рекомбинация в базе части неосновных носителей инжектированных эмиттером;

115. Эффективность коллектора транзистора типа p-n-p в статическом режиме определяется

; (Наташа)       ; (Ира)

116. Эффективность эмиттера в транзисторе типа p-n-p статическом режиме определяется

.

117. Эффективность эмиттера будет наибольшей при условии, что

уменьшится ширина базы;

118. Концентрация примесей больше в областях транзистора

в области эмиттера;

119. Связь между интегральным коэффициентом передачи тока эмиттера, коэффициентом переноса эффективностями эмиттерного g и коллекторного a^* переходов в статическом режиме имеет вид

.

120. Концентрация примесей в базе намного меньше концентрации примесей в эмиттере для того

чтобы уменьшить вероятность рекомбинации основных носителей в базе.

121. Связь между коллекторным и эмиттерным токами в транзисторе при коллекторном переходе, смещенном в обратном направлении, имеет вид

;

122. Изменение коэффициента передачи тока эмиттера при изменении коллекторного напряжения объясняется

изменением ширины коллекторного перехода и собственно изменением толщины базы.

123. Значение коллекторного напряжения биполярного транзистора ограничено

напряжением пробоя коллекторного перехода

124. Если в I_Э=0, U_КБ¹0, в цепи коллектора ток I_К

будет из-за наличия неосновных носителей базы и коллектора;

125. В базу биполярного транзистора типа р-n-р инжектируются

дырки;

126. Соотношение между толщиной базы W транзистора и диффузионной длиной неосновных носителей в базе L определяется

W<<L;

127.Причиной движения неосновных носителей в базе к коллекторному переходу является

действие сил диффузии;

128. Ток базы связан с токами эмиттера и коллектора

;

129. Коллекторный переход биполярного транзистора расположен в основном

в области базы, так как здесь концентрация примесей меньше, а удельное сопротивление больше;

130. Токи эмиттера и коллектора от толщины базы

зависят, причем токи возрастают с уменьшением толщины базы;

131. Модуляция толщины базы коллекторным напряжением – это

правильного ответа нет

132. Электрическое поле в области базы бездрейфового биполярного транзистора

не существует;

133. Режим отсечки биполярного транзистора – это состояние, когда