Полупроводниковые диоды. Принцип работы диодов. Эквивалентная схема. Параметры выпрямительных диодов, страница 3

Рассмотрим   подробнее  процессы , протекающие  в  этом  случае  в  PN  переходе  диода . За  время  « + »  импульса  в  результате  инжекции  в  базе  возникает  избыточная  концентрация  не основных  носителей  заряда , например : дырки  в  базе  N типа . При  смене  полярности  напр  на  обр  большое  число  неравновесных  дырок  начнет  перебрасываться  полем  перехода  обратно  в  P область. Когда  концентрация  дырок  в  базе  уменьшится   до  равновесного  значения , а  обратный  ток  снизится  до  своего  стационарного  значения , обратное  сопротивление  диода  восстановится .

Интервал  времени  от  момента  переключения  диода  с  прямого  напряжения  на  обратное , в  течении  которого  обратное  сопротивление  перехода  полупроводникового  диода  восстановится  до  постоянного  значения  называется  временем  восстановления  обратного  сопротивления   и  обозначается  ι вос

Общие  параметры  импульсных  диодов :

U пр – прямое  напряжение  на  диоде  при  заданном  прямом  токе .

I выпр макс – максимально  допустимый  выпрямительный  ток.

U обр макс – максимально  допустимое  обратное  напряжение .

I  обр макс – максимально  обратный  ток.

С д – емкость  диода.

Специально  импульсные  параметры :

Uпр и – прямое  импульсное  напряжение  на  диоде  при  заданном  импульсе  прямого  тока;

I  пр и макс – максимально  допустимый  прямой  ток , при  заданной  длительности  импульса;

ι вос – время  восстановленного  обратного  сопротивления .

ВЫВОДЫ:

1.  Импульсные  диоды  работают  в  режиме  электронного  ключа при  +    - Uпр , R <

при  -     - Uобр , R>

2.  Поскольку  длительность  импульсов  может  быть  очень  мала , диод  должен  очень  быстро  переходить  из  одного  состояния  в  другое .

3.  Быстродействие  импульсных  диодов  характеризуется  их  основным  параметром  временем  восстановления  обратного  сопротивления 

4.  Для  уменьшения  ι  вос  в  импульсных  диодах  применяют  специальные  меры , ускоряющие  процесс  рассасывания  не основных  носителей  заряда  в  базе .

5.  Требованиям   предъявляемым  к  ИД  хорошо  удовлетворяют  диоды  шотки , имеющие  очень  малую  инерционность  из-за  отсутствия  инжекции  и  накопления  ННЗ  в  базе .

СВЧ  ДИОДЫ.

Диоды  СВЧ  предназначены  для  работы  в  диапазонах  сантиметровых  и  миллиметровых  волн

Делятся  на :

1. Смесительные : используют  в  супергетеродинных   радиолокационных  приемниках  в  качестве  нелинейного  элемента ;

2. Видеодетекторные : для  детектирования  СВЧ  сигнала;

3. Параметрические : для  электронного  переключения  цепей  СВЧ ;

4.Умножительные : для  умножения  частоты  путем  получения  высших  гармоник  исходной  частоты  за  счет  нелинейности  диода .

Диоды  СВЧ  изготовлены  из  п/ проводника  с  малым  сопротивлением.

Основные  параметры  : между  P и    N  -обл   расположена  область  полупроводника  с  собственной  проводимостью.