Рис. 6.9. Усилитель
мощности Рис. 6. 10. Схема Дарлингтона с термокомпенсацией
В
данной схеме при повышении температуры падение напряжения на диодах снижается,
что приводит к уменьшению напряжения между базой и эмиттером транзисторов, и,
следовательно, к снижению коллекторного и эмиттерного токов, чем достигается
стабилизация статического режима.
В
рассмотренных выше схемах усиление мощности достигается за счет усиления
транзисторов по току, что приводит к необходимости использования транзисторов с
высоким коэффициентом усиления по току. Для обеспечения большой мощности в
таких усилителях применяются так называемые составные транзисторы, включенные
по схеме Дарлингтона. Для составного транзистора, показанного на рис. 6. 10,
общий коэффициент усиления по току определяется соотношением 
и может достигать
десятков тысяч. Промышленностью составные транзисторы выпускаются в виде
конструктивно законченного изделия. Пример построения усилителя на составных
транзисторах показан на рис. 6. 11.
Применение
ОУ во входных каскадах усилителя мощности значительно упрощает схемотехнику и
улучшает параметры усилителя. На рис. 6. 12 приведена схема усилителя мощности
с ОУ. Введение общей ООС как по переменному, так и по постоянному току
обеспечивает высокое входное и низкое выходное сопротивления, снижение
частотных и нелинейных
искажений, а также стабилизацию статического режима. Выходное напряжение
усилителя определяется формулой
.
Рис. 6. 11. Усилитель
мощности Рис. 6. 12. Усилитель мощности на составных
транзисторах с
ОУ
6. 3. Линейные преобразователи тока и напряжения
Общие сведения. Линейные преобразователи тока в напряжение (ПТН)
напряжения в ток (ПНТ) и относятся к специальным видам усилителей, которые
применяются для построения измерительных устройств, каналов передачи
аналоговых сигналов, стабилизаторов токов и напряжений, а так же в других
областях.
ПТН представляет собой усилитель с низким входным и низким выходным
сопротивлениями, а ПНТ – усилитель с высоким входным высоким выходным
сопротивлениями. Такие преобразователи могут быть реализованы с использованием
определенных участков ВАХ полупроводниковых приборов, приближающихся к ВАХ
источников токов и напряжений. Преобразователи, реализованные таким образом,
называются параметрическими и имеют ряд недостатков: конечные значения
входных и выходных сопротивлений, узкий диапазон возможного
