Электрическая схема приемника АМ сигналов диапазона СВ-II волн. Проектирование однодиапозонного РПУ, страница 6

;                   (11.1)

где: К_д = f_max / f_min = 1600 / 1000 = 1,6 – коэффициент перекрытия диапазона.

 пФ;

Емкость дополнительного конденсатора:

С_доп = С_{доп сх}  – С_м – С_вх × p₂² ;              (11.2)

где:    С_м » 3 пФ – емкость монтажа;

С_вх = 8 пФ – входная емкость усилительного прибора;

P₂ = 1 – коэффициент включения усилительного прибора;

С_доп = 297 – 3 – 8 × (1)² = 286 пФ;

Индуктивность контура:

 ;             (11.3)

где: С_кэmin – полная эквивалентная емкость входного контура:

 пФ;

По ГОСТу С_доп:

К10-7в-М75-300пФ±10%

Выбираем сердечник антенны. Феррит марки 400нн:

–  d = 8 мм, l = 80 мм, m₀ = 200;

Вычисляем:

l / d = 80 / 8 =10

и из таблицы 3.1 [1] – находим m_д – действительную магнитную проницаемость:

m_д = 63;

Число витков контурной катушки требуемой индуктивности L_к, расположенной на ферритовом стержне рассчитываем по формуле:

 ;           (11.4)

где: Д – диаметр намотки (Д » d(см));

m – коэффициент, зависящий от отношения длины намотки к длине ферритового стержня        (m = 0,3);

L_к – индуктивность контура, ( мкГн) которая вычисляется по формуле (11.3):

 мкГн;

тогда:

витков;

Действующая высота ферритовой антенны:

;                   (11.5)

где: l – длина волны, (230м);

S – площадь одного витка катушки:

  м²;

Q_э – эквивалентная добротность контура

(из предварительного расчета Q_э = 30);

 м;

Параметры L_к, С_н, С_доп второго контура такие же как ив первом, только индуктивность выполняется без ферритового сердечника.

12. Расчет элементов связи

Для удобства настройки преселектора, элементы связи должны быть выбраны так, чтобы во всем диапазоне рабочих частот кривая селективности не имела существенной двухгорбости и одновременно обеспечивала связь близкую к критической. Это получается на нижней частоте диапазона. Обобщенный параметр связи будет равен h = h_гр . Тогда на f_max обобщенный параметр связи h будет несколько ниже h_гр.

Обобщенный параметр:

;                (12.1)

где:

 ;           (12.2)

Из предварительного расчета имеем:

Q_k = Q_1k = Q_2k = 42, тогда d = 1, h = 1. При f_max  h » 0,7;

Для расчета L_св зададимся К_св = 0,8 и p = 1 – коэффициент включения микросхемы во второй полосовой фильтр:

;           (12.3)

тогда L_к = М, отсюда:

;                    (12.4)

выразим из формулы (12.4) L_св :

 Гн;

Расчет С_св1 и С_св2 производим по формулам 4.26 , 4.27 [5]:

;                 (12.5)

где: С_{к min} – минимальная емкость контура;

 Ф;

   пФ;

По ГОСТу:

С_св1 КТ-1-М75-4пФ±10% ;

С_св2 К10-7в-Н90-0,03мкФ±5% ;

13. Электрический расчет ФСС

В предварительном расчете мы выбрали пьезоэлектрический фильтр типа ПФ1П-23. Фильтр подключен к коллектору смесителя через широкополосный контур и согласующий трансформатор. Расчет сводится к определению элементов связи. Так как выходное сопротивление фильтра и входное сопротивление УПЧ имеют один порядок, то дополнительное согласование по выходу фильтра применять не будем.

Схема подключения фильтра к микросхеме приведена на рисунке (5). Определим показатель связи фильтра с усилителем:

;               (13.1)

;                 (13.2)

где: d – конструктивное затухание контура (d = 0,01);

П – полоса пропускания УПЧ;

f_n – промежуточная частота;

;

;

Вычислим индуктивность контурной катушки L_к:

 Гн;

где: g₂₂ = 0,33×10^-3 См – выходная проводимость микросхемы;

Определим индуктивность катушки связи L_св:

;                   (13.3)

где: m₁ – коэффициент включения;

r₁ – коэффициент связи (r_св = 0,85);

;             (13.4)

где: w_п – входное сопротивление фильтра;

;

тогда:

 Гн;

Вычислим емкость конденсатора С_к:

Ф = 980 пФ;

Берем ближайшее стандартное значение, С_к = 1000 пФ;

Так как С_м – емкость монтажа и С₂₂ – выходная емкость смесителя малы, то в расчете мы их не учитываем.

14. Электрический расчет АМ детектора

Для расчета АМ детектора необходимо знать несколько дополнительных параметров:

R_{вх унч} = 10 кОм – R_вх микросхемы К174УН4;

диапазон модулирующих частот, f_мод = 100 ¸ 8000 Гц.

Выберем диод для детектора с малой межэлектронной емкостью и большим R_обр  (КД503А).

С_д = 1,5 пФ;          К_{д кр} = 80 Ом;        R_добр = 7,5 МОм;

Схема детектора АМ приведена на рисунке 6.