проверки стабильности точки покоя при изменении температуры рассчитаем коэффициент нестабильности Si:
где h21б – коэффициент усиления транзистора в схеме с ОБ.
Ом
кОм
Коэффициент Si <4 считается допустимым. Найденное значение Si =2,1 удовлетворяет данному условию.
6. Рассчитываем значение конденсаторов в цепи эмиттера СЭ, разделительного СР, блокировочного С2 и фильтра СФ
нФ;
нФ
нФ
где Rвх.сл=3кОм – входное сопротивление каскада, следующего за СР.
нФ
7. Определим коэффициент усиления каскада.
Коэффициент усиления каждого плеча каскада меньше 1 и может быть определен:
где мСм
мСм
мСм
мСм
Коэффициент усиления каскада меньше 2-х:
8. Определяем входное сопротивление каскада:
кОм где Ом
Рисунок 2.2.1. Принципиальная схема апериодического УРЧ на биполярном транзисторе с симметричным выходом.
первый каскад микросхемы — апериодический УРЧ. Усиленный в УРЧ сигнал подаётся в смеситель, в выходную цепь которого через согласующий контур включен фильтр сосредоточенной селекции. Схема подключения пьезокерамического фильтра к смесителю показана на рис.2.3.1. В качестве транзистора VT1 могут служить транзисторы микросхемы К174 ХА2.
Контур имеет полосу пропускания в несколько раз больше полосы пропускания ПКФ и выполняет две функции: обеспечивает согласование выходного сопротивления смесителя с сопротивлением ПКФ и увеличивает избирательность по соседнему каналу.
согласование фильтра по выходу обеспечивается включением резистора , если входное сопротивление следующего каскада больше выходного сопротивления фильтра.
Порядок расчета.
1. определяем полосу пропускания широкополосного контура (ШПК) выходной цепи усилительного элемента, исходя из условия :
кГц
2. Выбираем емкость конденсатора контура. Для вещательных приёмников при
кГц можно порекомендовать пФ. Выбираем пФ.
3. Определяем параметры контура.
Эквивалентная проводимость контура:
мкСм, где пФ – величина емкости контура, где - емкость монтажа, примерно (5¸10)пФ;
- собственная конструктивная емкость, примерно (5¸10)пФ.
- выходная емкость усилительного элемента, пересчитанная к контуру, выбирается из приделов. = (3¸7) пФ;
индуктивность контура:
мкГн
мкСм где можно выбрать как (80¸100.)
4. Определяем коэффициенты подключения ШПК к выходной цепи смесителя () и ко входу ПКФ (n) из условий согласования выходного сопротивления смесителя с входным сопротивлением ПКФ и обеспечения нужной ширины полосы пропускания широкополосного контура:
где См - входная проводимость ПКФ.
где ;
мСм - выходная проводимость смесителя.
Если значение m получается больше единицы, то выполняется полное включение контура, а нужная полоса пропускания обеспечивается использованием шунтирующего резистора RШ. В данном случае m<1, поэтому RШ не используем.
5. Рассчитываем индуктивность связи:
мкГн, где - коэффициент связи принимается для многослойных катушек выбирается 0,4…0,6.
6. Определяется сопротивление резистора, включенного на выходе пкф:
кОм где мСм - выходная проводимость фильтра;
мСм - входная проводимость следующего каскада.
7. Определяем крутизну преобразователя Y21ПР.МС
для микросхемы К174ХА2 Y21ПР.МС =30мА/В при мВ.
8. Определяем коэффициент усиления высокочастотной части микросхемы, нагруженной на ПКФ:
где Кф – коэффициент передачи ПКФ, определяется как величина, обратная затуханию в полосе пропускания ПКФ. Для фильтра ПФ111-2 затухание в полосе пропускания равно 8 дБ.
Рисунок 2.3.1. Схема подключения пьезокерамического фильтра к смесителю.
При применении ИМС К174ХА2 выходной УПЧ ИМС выполняется с открытым коллектором транзистора, к которому подключается внешний широкополосный контур. Связь детектора с ШПК может быть трансформаторная и непосредственная.
Выходной УПЧ микросхемы К174ХА2 выполняется с открытым коллектором транзистора, к которому подключается внешний широкополосный контур. Связь детектора с ШПК непосредственная. Типовая схема включения детектора на диоде Д9Б показана на рисунке 2.4.1.
Наличие в схеме резистора (для типовой схемы =100 Ом) создает на диоде небольшое отпирающее напряжение, это обеспечивает успешную работу детектора, выполненного на кремниевом диоде, начиная с самых малых подаваемых на него напряжений. По высокой частоте резистор зашунтирован конденсатором .
Порядок расчета.
1. Величина шунтирующей ёмкости рассчитывается по формуле:
нФ
Выбираем типовое значение нФ.
2. Разделительную емкость рассчитываем по формуле:
нФ
3. Общую величину сопротивления нагрузки определяем исходя из условий получения малых нелинейных искажений. Выбираем микросхему УНЧ К174УН4, ее входное сопротивление =10 кОм.
кОм
При этом принимаем:
кОм;
кОм
4. Общую емкость нагрузки Сн=С3+С5 определяем из условия отсутствия
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.