UKЭ,В |
0 |
0,02 |
0,04 |
0,08 |
0,1 |
0,12 |
0,15 |
0,2 |
1 |
2 |
|
Iб=0,1мА |
IК,мА |
||||||||||
Iб=0,2мА |
IК,мА |
||||||||||
Iб=0,4мА |
IК,мА |
8.4. По результатам измерений постройте входные и выходные характеристики биполярного транзистора.
8.5. Рассчитайте параметры биполярного транзистора:
● h11Э, - входное сопротивление;
● h21Э-коэффициент передачи тока эмиттера;
● h22Э - выходную проводимость;
8.6.Завершение лабораторной работы:
● выключите ЭВМ, проделав необходимые манипуляции.
9. Содержание отчета по лабораторной работе.
9.1. Наименование и цель работы.
9.2. Схема исследования транзистора.
9.3. Наименование исследуемого транзистора и его основные электрические данные.
9.4. Таблицы экспериментальных данных.
9.5. Входные и выходные характеристики, построенные на основе экспериментальных данных.
9.6. Расчет h - параметров и Рк в заданных преподавателем точках с необходимыми построениями и обозначениями на характеристиках.
9.7. Выводы о соответствии снятых характеристик типовым характеристикам и расчетных параметров - справочным.
10. Контрольные вопросы.
10.1. Почему исследуемая схема называется схемой с общим эмиттером?
10.2. Какие характеристики транзистора называются входными и какие – выходными? Какой вид они имеют?
10.3. Нарисуйте схему для снятия входных и выходных характеристик и объясните методику их снятия.
10.4. Каков порядок величин ток базы, тока коллектора и тока эмиттера и какими приборами в исследуемой схеме они измеряются?
10.5. Поясните методику определения h - параметров транзистора (h11Э,
h21Э, h22Э) по его характеристикам. Каков порядок величин каждого из параметров и их физический смысл.
10.6. Почему статический коэффициент передачи тока и входное сопротивление в схеме с ОЭ значительно больше, чем в схеме с ОБ?
10.7. Сравните схему включения транзистора с ОЭ и ОБ по температуростабильности, возможности работы на более высоких частотах, входному и выходному сопротивлениям, коэффициентам усиления по току.
Результаты экспериментальных данных
по снятию входных и выходных характеристик биполярного транзистора.
Рисунок 1 – Схема для снятия входной характеристики биполярного транзистора с ОЭ.
Рисунок 2 - Схема для снятия выходной характеристики биполярного транзистора с ОЭ.
Таблица 1. Входные характеристики Iб = f (Uбэ) при Uкэ=const.
UбЭ,В |
0 |
0,3 |
0,5 |
0,65 |
0,7 |
0,85 |
1 |
1,2 |
1,5 |
2 |
|
UKЭ=0В |
Iб, мА |
0 |
3,4мкА |
0,027 |
0,79 |
3 |
20,7 |
44,6 |
78,8 |
132 |
223 |
UKЭ=12В |
Iб, мА |
0 |
1,6мкА |
0,012 |
0,056 |
0,1 |
0,88 |
3,6 |
10,8 |
27,6 |
66,3 |
Таблица 2. Выходные характеристики IK = f(UKЭ) при Iб =const.
UKЭ,В |
0 |
0,1 |
0,15 |
0,5 |
1 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
|
Iб=0,1мА |
IК,мА |
0 |
0,84 |
2 |
4,4 |
4,5 |
4,56 |
4,67 |
4,78 |
4,9 |
5 |
Iб=0,2мА |
IК,мА |
0 |
2,9 |
8,1 |
18,1 |
18,5 |
18,7 |
19,1 |
19,6 |
20 |
20,5 |
Iб=0,4мА |
IК,мА |
0 |
6,6 |
17 |
45,3 |
45,9 |
46,5 |
47,6 |
48,8 |
50 |
51 |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.