Основные физические законы и явления, на основе которых работают элементы современных электронных устройств, страница 4

-  Почему полевые транзисторы со встроенным каналом являются нормально открытыми, а с индуцированным каналом – нормально закрытыми?

-  Что такое “пороговое напряжение затвора” и для каких типов полевых транзисторов оно устанавливается?

-  Изменяется ли по длине ширина канала при постоянном напряжении затвора?

-  Назовите основные разновидности тиристоров.

8. Физические явления в вакууме и газах. Эмиссия электронов, виды эмиссии. Движение электронов под действием электрического и магнитного полей.  Распределение потенциалов в плоском диоде. Виды катодов. Закон степени трёх вторых. Анодная характеристика. Процессы в многоэлектродных лампах. Токораспределение. Действующее напряжение. Межэлектродные ёмкости. Динатронный эффект. Электрический разряд в газах. Возбуждение атомов, ионизация, рекомбинация. Тлеющий, дуговой, искровой и коронный разряды.

Вопросы для самоконтроля.

-  В чём различие между термоэлектронной и автоэлектронной эмиссиями?

-  Как изменяется траектория движения электрона в равномерном электрическом поле в зависимости от начального направления вектора скорости электрона по отношению к силовым линиям поля?

-  Как движется электрон в постоянном магнитном поле?

-  Как изменяется распределение потенциала в плоском вакуумном диоде при изменении напряжения между его электродами?

-  Как влияет пространственный заряд на распределение потенциалов в плоском диоде?

-  Чем отличаются оксидные катоды и катоды из чистых металлов?

-  Почему связь между током и напряжением в вакуумных приборах не подчиняется закону Ома?

-  Какой физический смысл вкладывается в понятие “проницаемость” сеток многоэлектродных ламп?

-  При каких условиях в лампе может возникнуть второй потенциальный барьер?

-  Как влияют межэлектродные ёмкости на работу лампы, какая из этих ёмкостей наиболее опасна?

-  Как можно избавиться от динатронного эффекта?

-  Как возникает и от чего зависит ионизация газа?

-  Чем определяется распределение потенциала между плоскими электродами, помещёнными в газовую среду?

-  Что такое “безэлектродный разряд”, условия его возникновения?

-  Поясните вольтамперную характеристику тлеющего разряда.

-  Приведите примеры практического применения разрядов в газах.

ЗАДАНИЯ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ

После ознакомления и изучения теоретического материала необходимо выполнить контрольную работу, которая состоит из пяти пунктов – задачи и четырёх вопросов. Для выполнения контрольной работы не требуется изучения дополнительного материала и знакомства с дополнительной литературой, однако работа над контрольной работой будет существенно упрощена, если после изучения каждого из разделов студент ответит на вопросы самоконтроля.

Номер варианта определяется последней цифрой номера зачётной книжки студента. Условия задач для всех вариантов одинаковы, исходные данные приводятся в виде таблицы и различны для каждого варианта.

Вопросы к контрольной работе

Вариант 0

1.  Кристаллические решётки. Трансляционные решётки Бравэ. Параметры решётки, типы решёток.

2.  Собственные полупроводники. Понятие о дырках.

3.  Гальваномагнитные эффекты.

4.  Пробой p-n перехода. Стабилитроны.

Вариант 1

1.  Простые и сложные решётки. Решётки с базисом.

2.  Локальные уровни в запрещённой зоне. Донорные и акцепторные полупроводники.

3.  Поглощение света полупроводниками.

4.  Туннельные и обращённые диоды.

Вариант 2

1.  Обозначение узлов, направлений и плоскостей в кристалле. Индексы Миллера.

2.  Функция распределения в статистике Ферми-Дирака. Функция плотности состояний.

3.  Излучение света полупроводниками. Светоизлучающие диоды. Полупроводниковые лазеры.

4.  Эмиссия электронов. Виды эмиссии. Термоэлектронная эмиссия.

Вариант 3

1.  Классификация кристаллов по типам связи (ионные, ковалентные, металлические и молекулярные кристаллы).

2.  Концентрация электронов и дырок в собственных полупроводниках. Положение уровня Ферми.

3.  Акустоэлектрические явления.

4.  Распределение потенциалов в плоском вакуумном диоде.

Вариант 4

1.  Точечные дефекты в кристаллах.