СВХ ≈ CК . (2.32)
2.2.7.7. . Параметры базового делителя ЭП рассчитываются из следующих соображений:
- должен обеспечиваться потенциал базы относительно корпуса величиной φБVT1 = U БЭ0 + I К0 R13;
- ток базового делителя должен быть много больше тока I Б0VT4 (5 – 10 раз).
RБ1 = R11 =(Е - φБ )/ (5 IБ0VT1 ); (2.33)
RБ2 = R12 = φБ / (5 IБ0VT1) ; (2.34)
RБ = RБ1 RБ2 /( RБ1 + RБ2) (2.35)
2.2.7.8. Расчет входного сопротивления КПУ (ЭП):
RВХ КПУ = RБ // RВХ ЭП (2.36)
2.2.7.9 Расчет коэффициента передачи ЭП.
K0 ЭП = (1+h21Э) R13 / [RГ +(1+h21Э) R13 ], (2.37)
где RГ ≈ RВЫХVT3 RБ / (RВЫХVT3 + RБ);– RВЫХVT3 ≈ 1/S – выходное сопротивление ЭП на VT3.
2.2.8. Расчет сквозного коэффициента усиления каскада на VT4 и VT5
КЕ = K0 K0 ЭП (2.38)
9. Расчет величин разделительных (С5, С8) и блокировочного (С7) конденсаторов.
С5 = 1 / [2pfH (RВЫХVT3 + RБ)] (2.39)
С8 = 1 / [2pfH ( R14+ RВХВК)] (2.40)
C7 = 1 / (2pfH R16 ) (2.41)
Примечание: если величины конденсаторов оказываются очень большими (десятки тысяч мкФ) необходимо использовать схему низкочастотной коррекции.
3. Расчет схемы регулировки усиления (методические указания № ).
Используется потенциометрическая схема регулировки, являющаяся нагрузкой ЭП на транзисторе VT3.
3.1. В качестве схемы ЭП используется схема ЭП на транзистореVT4. Тогда величина RРЕГ = R9 + R10 примерно равна величине резистора R13.
Библиографический список.
1. Проектирование усилительных устройств / И.В. Терпугов и др. 1982. 621.375 (021) П791
Приложение 1. Расчет величины нелинейных искажений методом пяти ординат.
Величина нелинейных искажений оценивается величиной коэффициента гармоник, определяемому по сквозной ВАХ IK = f(U1) транзистора VT5 схемы рисуека.1.
Расчет включает два этапа.
1 этап – построение динамической нагрузочной прямой (нагрузочной прямой по переменному току) транзистора VТ5.
2 этап –построение сквозной динамической характеристики IK = f(U1)
Отмечаем точки на нагрузочной прямой (число точек j произвольное и задается числом пересекаемых нагрузочной прямой ветвей выходной ВАХ транзистора) и определяем соответствующие значения токов коллектора и базы. Далее переносим значения тока базы на входную ВАХ транзистора и отмечаем соответствующие величины напряжения UБЭ. Рассчитываем значенияU1j.
j |
IКj |
IБj |
UБЭj |
U1j = UБЭj + IКj (Rf + RКОР) |
1 |
||||
2 |
||||
… |
||||
N |
kГ2 = 3(с-а) ∕ 4(а+в+с); kГ3 = (с + а - 2в) ∕ 2(а+в+с);
kГ = (kГ22 + kГ32) 1/2
Примечания.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.