(в процессе изготовления) входной емкостью МОП-транзистора. Все основные недостатки динамической памяти связаны именно с этим конденсатором.
Прежде всего, конденсатор, показанный на схеме, — ьс идеальный, его сопротивление не слишком велико. Кроме того, так как он сформирован в полупроводниковом переходе, в свою очередь расположенном в толще кристалла кремния, появляются дополнительные сопротивления, через которые заряд стекает с конденсатора, кстати, заодно искажая инфор мацию в соседних ячейках. Логической единице соответствует наличие заряда в конденсаторе. Время устойчивого хранения информации в ячейке динамического ОЗУ составляет обычно несколько миллисекунд. После этого необходимо произвести перезапись информации в ДОЗУ Эта процедура получила название регенерации (refresh).
В принципе, восстановление уровня заряда происходит при каждом обращении к ячейке, но так как процессор выбирает из ОЗУ лишь некоторые области, а о других надолго "забывает", приходится производить регенерацию с помещаю специальной схемы. Для этого обычно произиодится обращение к столбцу ячеек памяти — этого достаточно для восстановлении заряда в них.
Постоянная память
Постоянные запоминающие устройстш имеют более разнообразные варианты построения, нежели оперативные. Эта память используется в основном для хранения программ firmware (пе ним работают аппаратные средства вашей машины) на системной плате (это, в частносги, BIOS) ча плате видеоадаптера, контроллера дисков и вообще всех устройств компьютера, имеющих собственные процессоры или какое-либо их подобие. Большинство из этих устройств нею спою жизнь делают одно и то же, поэтому не нуждаются в замене программы.
Самые простые — масочные ПЗУ. Они отличаются тем, что вся информация заносится на этапе изготоиления кристалла. Понятно, что таким методом не стоит делать пару сотен микросхем — речь идет о действительно крупных партиях. Поэтому так делают только наиболее широко исполыу-емые вещи, вроде поддержки клавиатуры и монитора, знакогенераторов принтеров; наиболее мощные фирмы иногда позволяют себе выпустить BIUS в гаком виде.
Более сложный вариант — однократно программируемое ПЗУ (ПИЗУ» Эта микросхема имеет практически такую же структуру, что и масочное ПЗУ. однако есть важное отличие:
информация п ППЗУ может заноситься разработчиком аппаратуры самостоятельно. То есть можно изготовить одно, десять, десять тысяч ПЗУ "в домашних условиях". Программирование осуществляется либо пережиганием перемычек а микросхеме, либо путем "сжигания" управляющего перехода в транзисторах ППЗУ. Понятно, что единственный способ исправить ошибку программирования ППЗУ — это выбросить его в корзину и прожечь новое. Схема таких ПЗУ почти аналогична масочным ПЗУ, отличие только в том, что все соединения сделаны так, чтобы покупатель мог сам разобраться, что ему нужно, а что нет.
Следующий вариант еще хитрее. Это репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ), позволяющие многократно изменят', информацию в ПЗУ, стирая перед этим старую. В зависимости от метода стирания ин^мрмации различают РПЗУ с электрическим и с ультрафиолетовым стиранием. Сейчас появился новый подкласс электрически стираемых РПЗУ, получивший название флэш-памяти и отличающийся высокой скоростью перепрограммирования и возможностью выборочного стирания ячеек (обычные РПЗУ разом стирают все содержимое микросхемы).
Микросхемы с УФ-стиранием используют явление изменения структуры полевого перехода при воздействии на него довольно высоким напряжением; это изменение сохраняется в течение длительного промежутка времени. После этого возможно удаление информации путем воздействия на переход активным излучением Такие микросхемы имени окошко, через которое можно облучить кристалл ультрафиолетовыми лучами. Они иногда встречаются в персональных компьютерах, в основном в контроллерах и адаптерах, притом преимущественно в первых серийных образцах (там использование РПЗУ позволяет сделать модернизацию и исправление ошибок легким и безболезненным делом).
Микросхемы с электрическим стиранием использует тот же эффект, что и УФ РПЗУ, но стирание данных осуществляется подачей импульса довольно высокого уровня на специальный вывод. Во многих РПЗУ этого типа предусмотрена выборочная перезапись информации. При этом обычно меняется целый байт (или слово той длины, которая иснользонана в конкретном чипе). Важно, что можно программировать микросхему, не вынимая ее из устройства, но такая возможность должна быть специально предусмотрена. Такие ПЗУ тоже иногда используются в компьютер;) ч. обычно в тех же случаях, что и УФ РПЗУ. Напоследок заме-.v, ч-го РПЗУ --это довольно дорогое удовольствие, поэтому их применение скорее исключение, нежели правило.
Появившийся недавно новый вид ЭР113У - флэш память — дает новые и очень перспективные возможности. Об этом виде памяти читайте в статье "Внимание. Hash".
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.