Расчет генератора синусоидальных колебаний. Автогенератор синусоидальных колебаний на основе моста Вина. Осциллограмма генератора настроенного на 100 Гц, страница 4

 В

5.3.3 Определим амплитуду тока коллектора и среднее значение потребляемого тока

,                                    (5.3)

5.3.4 Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора в одном плече, составит  Вт

5.3.5 Вследствие того, что ток потребления схемы составляет 76 мА, а на выходе ОУ имеем 5 мА, необходимо применять схему на составных VT. Т.е. необходимо чтобы коэффициент усиления составлял >100, для получения на выходе 0,5 А.

5.3.6 Выбор типов транзисторов VT1 – VT4 произведем по соотношениям

Uкэ доп > 1.2Uип = 7,2 В; Iк доп > 1.2Iк макс = 0.288 A; Pк доп >Pк макс; fв= 3fb = 45

VT1 и VT2: Кремниевые мезаэпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы типа КТ815А (справочник /5/, стр. 439)

Таблица 5.1 Справочные данные транзистора КТ815А

Наименование

Обозначение

Значение

Минимальное

Типовое

Максимальное

Обратный ток коллектора

Iкб0, мкА

0,06

50

Граничное напряжение коллектор-эмит.

Uкэ0 гр, В

25

Напряжение насыщения база-эмиттер

Uбэ нас, В

0,9

1,2

Входное сопротивление транзистора

h11 э, Ом

300

800

Граничное напряжение транзистора

Uкэ 0, В

25

Статический коэф. передачи тока ОЭ

h 21э

40

70

Граничная частота коэф. передачи тока

fгр, МГц

3

Емкость коллекторного перехода

С к, пФ

40

60

Емкость эмиттерного перехода

Сэ, пФ

60

75

Постоянный ток коллектора

Iк макс, А

1,5

Постоянное напряжение кол- эмиттер

Uкэ макс, В

25

Постоянная рассеиваемая мощность

Рк макс, Вт

10

VT3 и VT4: Кремниевые мезаэпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы типа КТ814А (справочник /5/, стр. 441)

Таблица 5.2 Справочные данные транзистора КТ814А

Наименование

Обозначение

Значение

Минимальное

Типовое

Максимальное

Обратный ток коллектора

Iкб0, мкА

0,4

50

Граничное напряжение коллектор-эмит.

Uкэ0 гр, В

25

Напряжение насыщения база-эмиттер

Uбэ нас, В

0,9

1,2

Входное сопротивление транзистора

h11 э, Ом

300

800

Граничное напряжение транзистора

Uкэ 0, В

25

Статический коэф. передачи тока ОЭ

h 21э

40

70

Граничная частота коэф. передачи тока

fгр, МГц

3

Емкость коллекторного перехода

С к, пФ

40

60

Емкость эмиттерного перехода

Сэ, пФ

60

75

Постоянный ток коллектора

Iк макс, А

1,5

Постоянное напряжение кол- эмиттер

Uкэ макс, В

25

Постоянная рассеиваемая мощность

Рк макс, Вт

10

Пара является комплементарной и подходит для работы в схеме усилителя мощности.

5.3.7 Рассчитаем сопротивления резисторов

Для нормальной работы схемы (рис.4.1), необходимо чтобы на R7 и R10 падало 9 В, а на сопротивлениях R8 и R9 по 1 В, с учетом данных таблиц 5.1 и 5.2:

 Ом; следовательно,  Ом (обычно принимается 50…200 Ом)

5.3.8 Выходной разделительный конденсатор должен иметь емкость