(41) |
При выводе L и C1 будет использоваться система уравнений (39) и (41):
à
Подставим полученное выражение в (41):
à Ф
C1 – конденсатор типа МБГО С=90 мкФ, U=1000В.
Гн
Из справочной литературы выбираем стандартный дроссель:
Таблица 8
Параметры дросселя
Тип дросселя |
L, Гн |
I, А |
R, Ом |
D265 |
0,08 |
2,2 |
1,25 |
Параллельное соединение обмоток |
Внешний вид дросселя
Схема управления ВИП
Выбираем трансформатор ТПП 204-127/220
U1=127 В, I1=0,017 А
В
В
Диоды (VD5, VD6): Д9Ж
ΔUVD=1 В, I=0,048 мА.
ГОН
à С1=0,25 мкФ, R1=10 к Ом.
R2=10 кОм, R3=100 кОм, R4=R5=3 кОм.
Реостат Rp:
3 кОм; 100 В; 0,1 Вт |
D1, D2 и D3 – операционный усилитель К140УД1Б.
Параметрический источник питания
Uнг = Uп = 12,6 В
Iнг = Iп = 10 мА
Диоды:
Выбираем диоды (VD8-VD11): 1Д402A (Iв.ср = 0,03 А, Uобр.мах = 50 В, ΔUв.д.= 1 В)
1) Выбираем трансформатор (Т1):
Еd.о = Uнг+ ΔUв.б = 12,6+2 = 14,6 В
ΔUв.б = kт ΔUв.д= 2*1 =2 В
Трансформатор: ТПП 226-127/220 (U1=220 В; U2 = 20 В; I1 = 0,063 А ; f = 50 Гц) см. рис.1
2) Выбор стабилитронов (VD12 и VD13):
КС 512А (Uнг=12 В; Icт=5 мА, Р=1 Вт), Iст = 1...6,7 мА, Ucт = 10,8...13,2 В
Uпит – подключаем к 1 и 7 выводам микросхемы соответственно, выход GRD – на «землю» микросхемы.
Распределитель импульсов
Распределитель импульсов выбираем в первом техническом решении: формирование выходного напряжения инвертора с одним импульсом на полупериоде выходного напряжения.
DT – RS-триггер с открытым входом.
Микросхема 1355 ЛА3 (D4) I=12мА |
Оптотранзисторная пара (ОТП)
В справочнике выбираем оптотранзисторную пару АОТ110А со следующими характеристиками:
Iвх=25 мА Uвх=2 В Iвых=200 мА |
Задачей статического расчета является определение требуемого коэффициента передачи ВИП исходя из требований по уровню стабилизации выходного напряжения.
Эквивалентное сопротивление
(42) |
Ом
Так как , то:
Передаточная функция системы по управляющему воздействию:
(43) |
Передаточная функция фильтра:
(44) |
где ;
Результаты, полученные с помощью программной среды MATLAB 6.5, представлены в Приложении. 1. С помощью корректирующего звена (Correct Function) выходные характеристики улучшились: как видно из графика, переходный процесс является устойчивым с выходом на 1 (результат увеличения К в 2 раза), причем время перерегулирования достигает 22%, что является неплохим показателем для многих систем.
СХЕМА ЗАЩИТЫ
Для защиты ВИП от сверхтоков и перенапряжений применяется следующая схема:
Схема защиты
При достижении током нагрузки значения выше допустимого , напряжение на Rш становится больше, чем ∆UVD, и транзистор VT открывается, что приводит к открытию тиристора VS и отключению ВИП от источника питания с помощью автоматического выключатель F.
В данной схеме используется следующая элементная база:
Диод (VD) – D215 (∆UД = 1 В, IД = 10 А);
Тиристор (VS) – КУ108Р (Iоткр = 150 мА, Uобр max = 400 В);
Исходя из параметров диода рассчитаем сопротивление шунта:
Ом
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В ходе курсового проекта был спроектирован преобразователь постоянного тока в переменный. Полученный КПД получилось меньше заданного по причине больших потерь на транзисторах.
ЛИТЕРАТУРА
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.