Радиоприемники АМ, ОМ, ЧМ сигналов. Эскизный расчет структурной схемы приемника

Расчет можно производить по любой из имеющихся методик, например, приведенных в [3, 9, 10, 11, 18]. Для ускорения процесса проектирования предлагается выполнить эти расчеты на персональном компьютере по программам, составленным на основе методик, разработанных проф. Д.Н.Шапиро [18]. Указания по расчету входного устройства с использованием компьютера приведены в разд.4.

В результате расчета должны быть получены значения следующих величин, необходимых для дальнейшего проектирования:

- минимальное и максимальное значения коэффициента передачи входного устройства (К_{0 ВХ МИН} и К_{0 ВХ МАКС}) в пределах рассчитываемого поддиапазона; при малых K_Д расчет ведется на одной частоте, соответственно есть одно значение К_{0 ВХ};

- значения добротности Q_КЭ и полосы пропускания DF_КЭ на частотах настройки, соответствующих К_{0 ВХ МИН} и К_{0 ВХ МАКС}.

3 блок. Проверка требований по двухсигнальной избирательности. Рассчитываем напряжения сигнала и помех на входе АП1 при настройке на f_{0 ВХ} = f_МАКС :

U_{С ВХ} = U_{А0 *} К_{0 ВХ} ,

U_{П i ВХ} = U_{АП i *} К_{0 ВХ *} g_{ВХ i} ,

- ослабление i -ой помехи во входном устройстве при заданной отстройке Df_{П i} = | f_{П i} - f_{0 ВХ} |. Значение обобщенной расстройки рассчитывается по выражению

x_{П i} = Q_КЭ ( f _{П i} / f_{0 ВХ} - f_{0 ВХ} / f _{П i} ) ,

Для определения параметра нелинейности y₂₁^///y₂₁ необходимо рассчитать g_{21 0 *} R , где g₂₁₀ значение проводимости прямой передачи (крутизны) в исходной рабочей точке, R - суммарное сопротивление в цепи эмиттера или истока транзистора, обуславливающее отрицательную обратную связь по переменному току (см. рис.3.2 и 3.3).

Параметры a, r_Б^/, r_И^/ берутся из справочных данных на транзистор. При их отсутствии принимаются средние значения: a=0.97, r_Б^/ = r_И^/ = 50 Ом.

Значение g₂₁₀ для биполярного транзистора принимается равным g₂₁₀ = 30 _* I₀ , где I₀ - постоянная составляющая тока транзистора в исходном режиме.

Для полевого транзистора из справочных данных должны быть известны: ширина рабочего участка напряжений на затворе U_РЗ, наибольшее значение тока стока I_{С М} и соответствующее ему значение крутизны g_{21 М} (см прил.4). Выбрав значение постоянного тока в исходном режиме I₀, рассчитываем

.

На первом шаге рекомендуется рассмотреть случай отсутствия резистора ООС, то есть принять r_Э (r_И) = 0. Если в результате выполнения расчетов в блоках 3, 4, 5 окажется необходимым ввести резистор r_Э (r_И), то вновь определяют R и рассчитывают g_{210 *} R.

По графикам, приведенным на рис.3.4 и рис.3.5, или по расчетным формулам, приведенным там же, определяют значение ПНЛ y₂₁^///y₂₁, соответствующее рассчитанному произведению g_{210 *} R.

Замечания к определению ПНЛ. Из приведенного на рис.3.4 графика следует возможность уменьшения ПНЛ биполярного транзистора до нуля. Это происходит благодаря компенсации первичных продуктов нелинейности 3-го порядка вторичными, то есть образовавшимися при вторичном взаимодействии входного сигнала с компонентами напряжения ООС, выделившегося на r_Э. Точка компенсации искажений (g_210*R = 0.5) весьма неустойчива, поэтому если выбран биполярный транзистор и значения g_210*R лежат в пределах 0.38 < g_{210 *} R < 1, следует принять значение у₂₁^///у₂₁ равным 93.7.

Рис.3.4

При расчетах ПНЛ полевого транзистора необходимо следить, чтобы суммарное напряжение сигнала и помех на его затворе не выходило за пределы рабочего участка характеристики (U_РЗ), где аппроксимация передаточной