.
7. Коэффициент включения в контур со стороны смесителя из условия получения требуемой добротности :
.
8. Полное сопротивление нагрузки на смеситель :
Ом.
9. Коэффициент передачи смесителя ко входу внутреннего УПЧ :
.
10. Коэффициент передачи смесителя ко входу регулируемого УПЧ2 :
.
11. Коэффициент передачи смесителя ко входу регулируемого УПЧ2 по мощности:
.
12. Индуктивность контурной катушки :
L1 мкГн.
13. Емкость С0 :
пФ.
Cм = 3 пФ - монтажная емкость.
СL0 »2 пФ - собственная емкость катушки L1.
14. Емкость конденсатора С6 :
С6 пФ.
В качестве конденсатора С6 выбирается керамический конденсатор
К10-17 “в” - 330 пФ ±10%, Uном = 50 В , tокр = -60¸+125°С.
15. Емкость конденсатора С8 :
пФ.
В качестве конденсатора С8 выбирается керамический конденсатор
К10-17 “в” - 300 пФ ±10%, Uном = 50 В , tокр = - 60¸+125°С.
16. Емкость конденсатора С5 :
пФ.
В качестве конденсатора С2 выбирается керамический конденсатор
К10-17 “в” - 27 пФ ±10%, Uном = 50 В , tокр = -60¸+125°С.
5.11.2. Расчет контура частотного детектора
Контур частотного детектора L4C21 обеспечивает преобразование изменения частоты в изменение фазы за счет фазовой характеристики контура. Поэтому фазовая характеристика контура должна быть линейна в полосе частот, занимаемых спектром сигнала, для чего необходимо правильно выбрать добротность детекторного контура .
Требуемая эквивалентная добротность контура должна составлять
Qэ = .
1. Емкость кондесатора С21 выбирается равной 47 пФ. В качестве конденсатора С6 выбирается керамический конденсатор К10-17 “в” - 47 пФ ±10%, Uном = 50 В , tокр = -60¸+125°С.
2. Эквивалентная емкость контура :
Сэ = С21+См+CL0 = 47+2+3 = 52 пФ.
Cм = 3 пФ - монтажная емкость.
СL0 »2 пФ - собственная емкость катушки L4.
3. Добротность ненагруженного контура принимается равной
Q0 = 60.
4. Характеристическое сопротивление контура :
Ом.
4. Резонансная проводимость ненагруженоого контура :
Cм.
5. Резонансная проводимость нагруженного контура :
Cм.
6. Индуктивность катушки L4 :
L4 мкГн.
7. Для получения требуемой добротности необходимо включение шунтирующего резистора R7.
Сопротивление резистора R7 :
R7 = кОм.
Выбирается резистор МЛТ-0,125 -12 к0м ±10% . Диапазон рабочих температур tраб = -60°С+70°С.
5.11.3. Расчет контура гетеродина
Ранее упоминалось, что второй гетеродин выполняется на основе встроенного в ИС транзистора по схеме емкостной трехточки. При этом, по сравнению с типовым вариантом включения ИС, из эмиттерной цепи необходимо удалить кварц, а индуктивную ветвь контура гетеродина представить в виде параллельного контура L1C4VD1, который должен иметь эквивалентное индуктивное сопротивление XL = 73,2 Ом на частоте второго гетеродина 122,7 МГц.
1. В качестве варикапа VD1 выбирается варикап КВ 109В, имеющий при напряжении Uобр = 4В емкость 18 пФ [20]. Тогда при напряжении смещения, равном 3В емкость варикапа составит :
CVD1 = 18 пФ.
2. Индуктивность контура L1 выбирается равной
L1 = 0,05 мкГн.
3. Реактивная проводимость индуктивности L1 :
Cм.
4. Эквивалентная реактивная проводимость:
Cм.
5. Реактивность последовательного соединения конденсатора С4 и варикапа VD1 :
Cм.
6. Емкость последовательного соединения конденсатора С4 и варикапа VD1 :
пФ.
7. Емкость конденсатора С4 :
пФ.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.