Гибридными называют ИМС, в которых пассивные элементы (резисторы, конденсаторы и индуктивности) и междуэлементные соединения выполнены методами пленочной технологии, а в качестве активных элементов используются дискретные диоды, транзисторы или бескорпусные полупроводниковые ИМС.
Резисторы гибридных ИМС получают напылением через специальные трафареты на поверхность диэлектрика (подложку) тонкой пленки высокоомного материала (тантал, нихром, сплав МЛТ) соответствующей конфигурации. На концы полученного резисторного элемента напыляются пленочные контактные площадки, являющиеся частью междуэлементных соединений.
Конденсаторы гибридных ИМС — небольшой емкости (до 500 . . . 1000 пФ). Они выполняются на диэлектрической подложке путем последовательного нанесения трех слоев: металл — диэлектрик — металл. Металлические слои, образующие обкладки конденсатора, делают, как правило, из алюминия, а диэлектрик — чаще всего из окиси кремния или окиси алюминия.
Конденсаторы гибридных ИМС небольшой емкости (до 500 1000 пФ). Они выполняются на диэлектрической подложке путем последовательного нанесения трех слоев: металл — диэлектрик — металл (рис. 3.35, о). Металлические слои, образующие обкладки конденсатора, делают, как правило, из алюминия, а диэлектрик чаще всего из окиси кремния или окиси алюминия.
В гибридных ИМС индуктивностями являются либо дискретные микроминиатюрные катушки, либо пленочные катушки. Пленочные катушки имеют вид однослойных (рис. 3.35, в) или многослойных спиралей, наматываемых на диэлектрическую подложку. Индуктивность таких катушек не превышает 20 мкГн при добротности не более 50.
Элементы гибридных интегральных микросхем соединяются с помощью пленок из металлов, обладающих высокой электропроводностью (алюминий, серебро, золото), наносимых на диэлектрическую подложку. Для соединения пленочного проводника с пленочным пассивным элементом часть такого проводника наносится на пленку, образующую пассивный элемент. Пленочные проводники соединяются с выводами дискретных элементов сваркой.
Для характеристики сложности ИМС введен специальный термин «степень интеграции интегральной схемы», отображающий число элементов в одной ИМС.
В зависимости от числа элементов ИМС подразделяются на пять степеней: I от 1 до 10; II от 11 до 100; III от 101 до 1000; IV — от 1001 до 10 000; V — от 10 001 до 100 000.
ИМС I и II степени интеграции называют микросхемами малого уровня интеграции, III степени и выше повышенного уровня интеграции. ИМС IV и V уровней интеграции известны в литературе также под названием «большие интегральные схемы» (БИС).
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
