Исследование интегральных микросхем памяти. Устройство и принцип работы микросхемы оперативной памяти ТТЛ серии (155; 537)

Тема: «Исследование интегральных микросхем памяти».

Цель работы: изучить устройство и принцип работы микросхемы оперативной памяти  ТТЛ серии (155; 537); исследовать в работе МС памяти серии 155  режим записи и чтения.

Объект, методика и средства исследования:

1.  БИС оперативной памяти  КР537РУ3А (на основе этой серии построена оперативная память УЧПУ «Электроника НЦ 31-02» и УЧПУ 2С42-65). Емкость МС памяти  К155РУ5 256 бит.

2.  Обучающая программа для исследования  принципа действия МС К155РУ5.

Порядок выполнения работы:

1.  Зарисовать УГО микросхемы МС К155РУ5. Записать значения выводов и таблицу состояний МС К155РУ5.

2.  Исследовать работу МС в соответствии с вариантом задания.

3.  Сделать вывод.

Ход работы:

1.  А1-А4 – адреса ДШ Х

В1-В4 – адреса ДШ Y

Dвх – вход записи данных у – выходы данных

 - открывает доступ к матице памяти.

2.

3. Вывод:  изучил устройство и принцип работы микросхемы оперативной памяти  ТТЛ серии (155; 537); исследовал в работе МС памяти серии 155  режим записи и чтения.

Изм.

Лист

№докум.

Подп.

Дата

Разраб.

Лабораторная работа №

Лит.

Лист

Листов

Пров.

Лист

Изм.

Лист.

№докум.

Подп.

Дата