Физическая сущность, принцип действия и структура акустоэлектронных изделий. Преобразователи поверхностно-акустических волн (ПАВ). Характеристики преобразователей. Аподизация. Согласующие цепи входных и выходных преобразователей. Выбор материалов акустоэлектронных устройств. Методы расчета. Влияние погрешностей изготовления преобразователей и нестабильности свойств материалов на характеристики устройств.
Фильтры и резонаторы на ПАВ. Схемы расположения электродов, свойства, конструкции, характеристики.
Линии задержки на ПАВ. Разновидности, схемы расположения электродов, свойства, конструкции, характеристики.
Конвольверы, устройства свертки и другие устройства на ПАВ.
Акустооптические устройства.
Области применения акустоэлектронных устройств в ЭС.
3.4.8. Фильтры, линии задержки и другие устройства на приборах с зарядовой связью
Принцип формирования зарядовых пакетов в подложке и обеспечение их продвижения. Выбор тактовой частоты. Ввод и вывод информационного сигнала. Элементы конструкции приборов с зарядовой связью (ПЗС). Выбор материалов подложки и электродов.
Фильтры и линии задержки на ПЗС. Принцип работы, схемы расположения электродов, свойства, конструкции, характеристики.
Твердотельные фото- и телевизионные камеры на ПЗС. Другие устройства.
3.5. Элементы запоминающих устройств
3.5.1. Теоретические основы записи и хранения информации
Применение устройств памяти в ЭС. Основные параметры и характеристики, требования к ним; виды доступа к информации (произвольная выборка, последовательные считывание-запись). Возникающие противоречия и проблемы. Классификация запоминающих устройств.
Физические явления, лежащие в основе функционирования различных запоминающих устройств; использование статических и динамических неоднородностей для записи информации. Классификация запоминающих элементов и устройств по физическим принципам записи.
3.5.2. Элементы запоминающих устройств на ферритовых сердечниках и тонких магнитных пленках
Элементы памяти на кольцевых и других магнитных сердечниках. Запоминающий элемент; запись и считывание информации. Способы построения запоминающих устройств. Особенности работы при внешних воздействиях. Методы повышения надежности, технологичности и эффективности производства; миниатюризация.
Элементы памяти на тонких магнитных пленках (цилиндрических и плоских). Оси легкого и трудного намагничивания на магнитных пленках. Особенности запоминания информации. Способы организации запоминающих устройств.
3.5.3. Запоминающие устройства на цилиндрических магнитных доменах
Физическая сущность, условия возникновения и существования цилиндрических магнитных доменов (ЦМД). Возбуждение ЦМД в магнитной пленке, продвижение доменов, считывание информации, аннигиляция доменов. Способы построения, основные характеристики, конструкции запоминающих устройств на ЦМД, применяемые материалы.
3.5.4. Запоминающие устройства на полупроводниковых приборах
Запоминающие ячейки на биполярных и МДП-транзисторах. Полупроводниковые ОЗУ, ПЗУ, ППЗУ: способы реализации, примеры микросхем. Преимущества и недостатки полупроводниковых запоминающих устройств.
3.5.5. Запоминающие устройства на приборах с зарядовой связью
Принцип действия. Формирование, продвижение и считывание зарядовых пакетов. Особенности запоминающих устройств на ПЗС. Применение МНОП-структур. Основные характеристики запоминающих устройств на ПЗС, конструкции.
3.5.6. Элементы внешних запоминающих устройств
Внешние запоминающие устройства и носители информации. Магнитные ленты и диски. Запись и считывание информации, расположение дорожек, структура магнитных лент и дисков, применяемые материалы. Параметры магнитных носителей.
Контактные кольцевые магнитные головки, принцип действия, конструкции, применяемые материалы. Износ магнитных головок. Плавающие магнитные головки.
Сравнительный анализ элементов запоминающих устройств различных типов. Рекомендации по применению в ЭС. Новые виды запоминающих элементов и устройств. Перспективы развития.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.