Вопросы
для рейтинг – контроля и экзаменов
по курсу «Физические основы микроэлектроники»
1. Волновые свойства свободных электронов.
2. Корпускулярно – волновой дуализм.
3. Волновой пакет.
4. Групповая скорость.
5. Основная квантово – механическая задача.
6. Основные положения Зоммерфельда.
7. Уравнение Шредингера.
8. Волны де – Бройля.
9. Микрочастица в потенциальной яме.
10. Волновая функция в одномерной и трехмерной структуре.
11. Понятие состояния. Число возможных состояний. Вырождение.
12. Число возможных состояний в металлах.
13. Статистика Ферми – Дирака. Функция Ферми.
14. Основная задача физики твердого тела.
15. Решение основной задачи физики твердого тела при нулевой температуре.
16. Электронная система твердого тела при нулевой температуре.
17. Невырожденный электронный газ.
18. Состояние электронов в периодическом силовом поле.
19. Коэффициент связанности микрочастицы. Применение для оценки параметров зонной структуры.
20. Модель сильной связи.
21. Учет периодичности волновой функции в модели сильной связи.
22. Соотношения между энергиями и импульсами частицы в периодическом силовом поле кристаллической решетки..
23. Проводники, диэлектрики, полупроводники.
24. Полупроводники: определение, особенности зонной структуры, свойства.
25. Зонная структура полупроводников.
26. Взаимосвязи параметров кристаллической структуры и зонной диаграммы полупроводников.
27. Генерационно – рекомбинационные процессы в полупроводниках.
28. Эффективное время жизни носителей заряда в полупроводниках.
29. Эффективная масса носителей заряда в полупроводниках.
30. Статистика электронов в полупроводниках. Особенности.
31. Статистика электронов в беспримесных полупроводниках.
32. Статистика электронов в примесных полупроводниках.
33. Распределение носителей заряда в полупроводниках по энергиям.
34. Влияние электрических полей на электропроводность полупроводников.
35. Зонная диаграмма полупроводника в электрическом поле.
36. Термоэлектронная эмиссия.
37. Контакт металл – полупроводник с изолирующим промежутком.
38. Свойства контакта металл – полупроводник с Ам > Ап.
39. Свойства контакта металл – полупроводник с Ам < Ап.
40. Характеристики электрического поля контакт металл – полупроводник.
41. Контакт металл – электронный полупроводник. Свойства.
42. Контакт металл – дырочный полупроводник. Свойства.
43. Влияние внешнего электрического поля на зонную диаграмму контакта металл – полупроводник.
44. Электронно – дырочный переход контакта металл – полупроводник.
45. Контакт полупроводник – полупроводник. Свойства.
46. Зависимости свойства переходной области контакта полупроводник – полупроводник от электрофизических характеристик материалов и внешнего смещения.
47. Законны фотоэффекта.
48. Внешний фотоэффект в беспримесных полупроводниках.
49. Внешний фотоэффект в электронных полупроводниках.
50. Внешний фотоэффект в дырочный полупроводник.
51. Внешний фотоэффект в металлах.
52. Поглощение энергии излучений в полупроводниках. Закон Буира – Лямберта.
53. Законы генерации носителей тока в полупроводниках под действием квантовых излучений и температуры.
54. Модель Эберса – Молла.
55. Режимы работы биполярного транзистора.
56. Уравнение для токов и напряжений биполярного транзистора.
57. Входные и выходные характеристики транзистора с ОБ.
58. Параметры транзистора с ОБ.
59. Характеристики транзистора с ОЭ.
60. Параметры транзистора с ОЭ.
61. Малосигнальные параметры транзистора.
62. Связи малосигнальных параметров с параметрами физической эквивалентной схемы транзистора.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
