Уважаемые коллеги! Предлагаем вам разработку программного обеспечения под ключ.
Опытные программисты сделают для вас мобильное приложение, нейронную сеть, систему искусственного интеллекта, SaaS-сервис, производственную систему, внедрят или разработают ERP/CRM, запустят стартап.
Сферы - промышленность, ритейл, производственные компании, стартапы, финансы и другие направления.
Языки программирования: Java, PHP, Ruby, C++, .NET, Python, Go, Kotlin, Swift, React Native, Flutter и многие другие.
Всегда на связи. Соблюдаем сроки. Предложим адекватную конкурентную цену.
Заходите к нам на сайт и пишите, с удовольствием вам во всем поможем.
Министерство образования Российской Федерации
Владимирский Государственный Университет
Факультет радиофизики, электроники и медицинской техники
Кафедра конструирования и технологии радиоэлектронных средств
Отчёт по лабораторной работе №1
по дисциплине Физика, спец. главы
Выполнил
студент группы РЭ-101
Проверил
Владимир 2003
1. Постановка задачи
Определить вероятность нахождения электронов на уровнях F 0,1 эВ при температурах 0, 200, 300 и 1000 К.
2. Краткие теоретические сведения
Вероятность нахождения электрона на том или ином энергетическом уровне определяется распределением Ферми-Дирака:
(1), где Fn(W) – вероятность; k – постоянная Больцмана, k = 8,65 * 10-5 эВ = 1,38 * 10-23 Дж/К; Т – постоянная температура; W - энергетический уровень, на котором может находиться электрон; WF – энергия, называемая уровнем Ферми.
3. Теоретические модели для решения этой задачи
Если в формуле (1) всё поделить на заряд электрона, то получится выражение:
(2), где φ – потенциал, характеризующий энергию W; φF – уровень Ферми; φt – температурный потенциал, φt = В, Т – постоянная температура.
Для поиска вероятности нахождения электрона на уровнях F±0,1 эВ запишем: , где .
Подставим вышеперечисленные выражения в формулу (2):
(3)
Получили искомую формулу для моделирования в среде Mathcad. Видно, что результат расчета не зависит от используемого материала, так как в формуле (3) уже не используется значение уровня Ферми.
Изменяя переменную x от -0,1 до 0,1 получаем вероятность нахождения электрона на данных уровнях при данной температуре. При температуре Т=0К вероятность нахождения электрона выше уровня Ферми стремится к 0, ниже уровня Ферми к 1.
Рис. 1. Вероятность нахождения электрона на энергетических уровнях F±0,1 эВ при температурах: f1 – 200K, f2 – 300K, f3 – 1000K.
По результатам расчетов вероятность нахождения электронов на уровнях F-0,1 эВ и F+0,1 эВ следующая:
1) при Т = 200К вероятность нахождения электронов на уровне F-0,1 эВ составляет 0,997; на уровне F+0,1 эВ 0,003
2) при Т = 300К вероятность нахождения электронов на уровне F-0,1 эВ составляет 0,98; на уровне F+0,1 эВ 0,02
3) при Т = 1000К вероятность нахождения электронов на уровне F-0,1 эВ составляет 0,761; на уровне F+0,1 эВ 0,239
Вывод: при повышении температуры график вероятности нахождения электрона на уровнях F 0,1 эВ становится все более пологим. Это означает, что увеличивается вероятность нахождения электронов выше уровня Ферми.
Уважаемые коллеги! Предлагаем вам разработку программного обеспечения под ключ.
Опытные программисты сделают для вас мобильное приложение, нейронную сеть, систему искусственного интеллекта, SaaS-сервис, производственную систему, внедрят или разработают ERP/CRM, запустят стартап.
Сферы - промышленность, ритейл, производственные компании, стартапы, финансы и другие направления.
Языки программирования: Java, PHP, Ruby, C++, .NET, Python, Go, Kotlin, Swift, React Native, Flutter и многие другие.
Всегда на связи. Соблюдаем сроки. Предложим адекватную конкурентную цену.
Заходите к нам на сайт и пишите, с удовольствием вам во всем поможем.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.