Методика эксперимента исследования гст на 3-х транзисторах. Синтез и проведение исследования генератора стабильного тока

Министерство образования Российской Федерации

Владимирский Государственный Университет

Кафедра КТ РЭС

Лабораторная  работа 

МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА ИССЛЕДОВАНИЯ

ГСТ НА 3^Х ТРАНЗИСТОРАХ

Выполнили  студенты группы      РЭ-100

Проверил

Владимир 2002

Цель работы: Синтез и проведение исследования генератора стабильного тока на транзисторах МП42Б.

1.  ГСТ на трех транзисторах.

2.  ГСТ на двух транзисторах с отрицательной обратной связью по току.

3.   

Исследовать следующие вопросы:

1.  Измерить параметры ГСТ и сравнить их с расчетными.

2.  Как влияет сопротивление в цепи тока I₀ на величину I₀?

3.  Как влияют величины напряжений питания на величины задающих и выходных токов?

4.  Как влияет разность температур Т₁, Т₂ и Т₃ на выходной ток I₀?

5.  Как влияет замена одного из транзисторов (h_21э) на изменение тока I₀?

6.  Как точно выходной ток I₀ равен задающему?

ГСТ токовое зеркало.

ГСТ на 3^-х транзисторах.

Биполярный транзистор VT3, включенный как эмиттерный повторитель напряжения U_КЭ1. В результате в схеме ГСТ образуется ООС, которая стабилизирует токи I₀ и I₁. Если, например, I₀ начинает возрастать, то увеличивается U_БЭ2, а следовательно U_БЭ1. Транзистор VT1 начинает открываться, это приводит к уменьшению U_КЭ1. Напряжение U_КЭ1 для VT3 является открывающим. Его уменьшение приводит к закрыванию VT3, что препятствует увеличению тока I₀. Аналогично влияет ООС в ГСТ и на стабилизацию I₁. В результате действия более глубокой ООС ГСТ, собранной по схеме рис.1, приобретает целый ряд преимуществ.

Исходные данные: VT1 – VT3 = КТ315Б. Фиксированный ток I₀ =4 мА.

                                                  Расчет.

Для выбранного транзистора коэффициент усиления h₂₁=50…350, выберем h₂₁=150, U_{кэ max}=20В.

Пусть Е_пит=10В. Для данного транзистора напряжение U_бэ=0.5..0.7В, возьмем U_бэ=0.6В.

По I закону Кирхгофа: I₁ = I_б3 + I_к1, а I₀ = I_б3 ∙ h_21э1.

Следовательно, . Так как транзисторы VT1, VT2, VT3 одинаковы, то можно считать все их параметры одинаковыми и следовательно: I_б ≈I_б1 ≈ I_б2 ≈ I_б3 =, при которых формула упрощается.

При I_к1 = I_б1 ∙ h_21э1, то

Если h_21э1 = h_21э3, то  если h_21э1 > h_21э3, то если h_21э1 < h_21э3, то

По II закону Кирхгофа: U_КЭ1 = U_БЭ3 + U_КЭ2,

U_КЭ2 = U_БЭ1, U_КЭ1 = U_БЭ3 + U_БЭ1 = 2∙0,6 = 1,2 В.

UR1 = E – U_КЭ1 = 10 – 1,2 = 8,8 В.

Номинальное значение: R1 =         кОм.