Если же изменить его сопротивление в сторону увеличения, то вместе с ним увеличится коэффициент усиления дифференциального сигнала, но уменьшится коэффициент ОСС (например если взять Rк = 2к, то Кuдиф будет равно 21, а Косс станет равным 1200), поэтому выбирая номинал сопротивления резистора Rк нужно придерживаться компромисса между Косс и Кuдиф в нашем случае не желательно его изменение в низшую сторону, потому что коэффициент усиления получается практически равным с заданным, но также, если мы изменим его в большую сторону, то на схеме с Rэ в цепи эмиттера не будет никакого ОСС.
Теперь проследим за тем что изменится если мы уменьшим сопротивление резистора R1. В результате этого увеличится ток протекающий через этот резистор, а т.к. R1 входит в состав токового зеркала, то увеличится и ток коллектор-эмиттер транзистора VT4, в результате увеличения этого тока увеличатся токи эмиттеров транзисторов VT1 и VT2, что приведет к увеличению тока протекающего через резисторы Rк, а следовательно к увеличению падения напряжения на них и к уменьшению падения напряжения на самих транзисторах. То есть получается, что токи коллектора транзисторов VT1 и VT2 будут большие, а напряжения маленькие, в результате чего начальная рабочая точка сместится в область насыщения, в результате чего уменьшится коэффициент усиления.
Если мы будем менять транзисторы, следовательно будет меняться их коэффициент передачи, в результате чего изменятся все коэффициенты усиления и коэффициент ОСС, которые будут уменьшаться при уменьшении коэффициентов передачи. Но при уменьшении h21э будет увеличиваться ток эмиттера, но совсем незначительно, что не сильно повлияет на работу схемы.
Теперь проанализируем на модели работу схемы.!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
Подадим на базы транзисторов противофазный сигнал при рассчитанных значениях элементов.
Посмотрим на значения токов, напряжений и сигналов на осциллографе, которые получаются в результате моделирования.
Рисунок 1. Работа ДУ при нормальных условиях и дифференциальном сигнале.
Как видно из рисунка 1 все значения токов и напряжений соответствуют рассчитанным нами. Но коэффициент усиления дифференциального сигнала оказался невероятно большим и равным 200. Это значение может объясняться погрешностью моделирования, так как в этой программе могут не учитываться некоторые особенности транзисторов (например так и не было обнаружено как в ней реализуется зависимость параметров транзистора от температуры).
Теперь посмотрим результаты моделирования при подаче синфазного сигнала.
Рисунок 2. Работа ДУ при нормальных условиях и синфазном сигнале.
При синфазном сигнале, как мы знаем из теории, при замене резистора в цепи эмиттера токовым зеркалом должно идти ослабление синфазного сигнала. В результате моделирования же было получено, что синфазный сигнал не ослабляется в 1000 раз, что опять же расходится с теоретическими заключениям, в теоретических расчетах было получено 2000. Это опять же можно объяснить погрешностью работы программы, так как кроме тех недостатков которые были указаны выше существенную роль играет и тот момент, что используется в моделировании на транзистор КТ315А, а его зарубежный аналог 2N2712.
Промоделируем случай в котором изменим одно из сопротивлений, стоящих в цепи коллектора.
Рисунок 3. ДУ при меньшении Rк2 и дифференциальном сигнале.
Мы изменили значение сопротивления Rк2 в результате на осциллограмме можно увидеть что амплитуда сигнала которая соответствует правому плечу осциллографа гораздо уменьшилась, что соответствует теоретическим выкладкам.
Если же мы увеличим сопротивление резистора Rк2 то произойдет увеличение амплитуды сигнала, из за того что увеличится коэффициент усиления одного из плеч, это можно увидеть на следующем рисунке
Рисунок 4. ДУ при увеличении Rк2 и дифференциальном сигнале.
Теперь посмотрим как поведет себя ДУ при изменении Rк2 и
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.