Разработка устройства охраны с сигнализацией по телефонной линии, страница 10

Общая интенсивность отказов резисторов равна:

λ_г=∑λ_э=0,30838*10^-6 1/ч

6.2 Интенсивность отказов конденсаторов

Интенсивность отказов конденсаторов определяется:

λ_э=λ₀К_эК_рК_с

, где   λ_э–интенсивность отказов в рабочем режиме;

λ₀–интенсивность отказов при Т=25° С и нормальной нагрузке;

К_э–коэффициент зависящий от условий эксплуатации;

К_р–коэффициент режима;

К_с–коэффициент зависящий от номинальной емкости.

Таблица 6.2

Интенсивность отказов конденсаторов

№ п/п	Тип	λ0, 10-6 1/ч	Кр	Кэ	Кс	λэ, 10-6 1/ч
А3,А4–предварительный усилитель
1	К10-17а	0,012	0,25	1	1,6	0,0048
2	К10-17а	0,012	0,25	1	1,6	0,0048
3	К10-17а	0,012	0,25	1	1,6	0,0048
4	К50-16	0,05	0,32	1	1	0,016
5	К50-16	0,05	0,32	1	1	0,016
6	К50-16	0,05	0,32	1	1	0,016
А5–блок питания
1	К50-35	0,05	0,32	1	2	0,032
2	К50-35	0,05	0,32	1	2	0,032
3	К50-16	0,05	0,25	1	1	0,0125
4	К50-16	0,05	0,25	1	1	0,0125
5	К50-16	0,05	0,25	1	1	0,0125
6	К50-16	0,05	0,25	1	1	0,0125
А6,А7–усилитель мощности
1		0,05	0,32	1	2	0,032
2	К50-16	0,05	0,25	1	1	0,0125
3	К50-16	0,05	0,25	1	1	0,0125
4	К10-17	0,05	0,32	1	0,86	0,014
5	К50-16	0,05	0,25	1	1	0,0125
6	К50-16	0,05	0,25	1	1	0,0125
7	К50-35	0,05	0,32	1	2	0,032
8	К50-35	0,05	0,32	1	2	0,032
Прочие
1	БМТ2	0,05	0,32	1	2	0,032

Общая интенсивность отказов равна:

λ_с=∑λ_э=0,5908*10^-6 1/ч

6.3 Расчет интенсивности отказов микросхем

Интенсивность отказа микросхем определяется:

λ_D=λ₀K_слК_э

, где λ_D–интенсивность отказов в рабочем режиме;

λ₀–интенсивность отказов при Т=25° С и нормальной нагрузке;

К_сл–коэффициент учитывающий степень интеграции и температуру кристалла (корпуса);

К_э–коэффициент учитывающий условия эксплуатации.

Таблица 6.3

№ п/п	λ0, 10-6 1/ч	Ксл	Кэ	λD, 10-6 1/ч
А3,А4–предварительный усилитель
1	0,9	1,25	1	1,125
А6,А7–усилитель мощности
1	0,9	2	1	1,8

Общая интенсивность отказов микросхем равна:

λ_D=∑λ_э=2.925*10^-6 1/ч

6.4 Расчет интенсивности отказов диодов и стабилитронов

Интенсивность отказов светодиодов определяется:

λ_э=λ₀К_эК_р