первом участке действует самое
слабое поле, он характеризуется линейной зависимостью В от Н, при постоянном
значении магнитной проницаемости. На этом участке происходит рост доменов,
вектор намагниченности которых составляет наименьший угол с направлением
внешнего поля. Рост происходит за счет доменов, у которых наибольшие. Рост
доменов происходит за счет обратимого смещения их границ. Суммарная
намагниченность образца отлична от нуля, и материал характеризуется начальной
магнитной проницаемостью .
Второй участок –
область слабых магнитных полей – характеризуется крутым подъемом
В и от Н. На этом участке границы доменов
перемещаются на большие расстояния, а сам процесс перемещения границ необратим,
т.е. после снятия внешнего магнитного поля доменная структура не возвращается в
исходное состояние, и образец сохраняет какую –
то намагниченность. Переориентация внутренних магнитных моментов происходит не
постепенно, а скачкообразно. К концу этого участка границы доменов исчезают, и
образец превращается в однодоменный, вектор намагниченности которого совпадает
с направлением легкого намагничивания. В конце участка магнитная проницаемость
достигает своего максимума.
Третий участок –
область средних полей – характеризуется незначительным увеличением
В и значительным уменьшением . Процесс намагничивания
заключается в постепенном повороте вектора намагниченности образца до полного
совпадения с направлением внешнего магнитного поля. В конце участка магнитная
индукция материала достигает значения индукции технического насыщения ВS.
Четвертый участок – область сильных полей – характеризуется незначительным увеличением индукции с увеличением напряженности магнитного поля, и приближением значения магнитной проницаемости к единице. Незначительное увеличение индукции происходит за счет парамагнетизма.
Относительная магнитная проницаемость для любой произвольной точки кривой намагничивания может быть определена как
, где α – угол наклона прямой, соединяющей точку А с началом
координат.
Выполняя расчеты по данной формуле в соответствии с кривой намагничивания, можно видеть, что относительная магнитная проницаемость сначала быстро возрастает до некоторого начального значения μН, называемого начальной магнитной проницаемостью, достигает максимального значения μМ и затем быстро уменьшается, приближаясь к единице при стремлении индукции к индукции насыщения. График зависимости относительной магнитной проницаемости от напряженности магнитного поля μ(Н) представлен на рис.1.
Если намагнитить образец до технического насыщения, а затем уменьшать напряженность магнитного поля, то при Н=0 намагниченность образца не будет равна нулю. Для размагничивания необходимо поменять направление напряженности магнитного поля, при Н=НS намагниченность образца становится равна нулю, при дальнейшем увеличении Н образец вновь начнет намагничиваться. Петлю, которую описывает В, при изменении Н называют петлей гистерезиса. Гистерезис – это явление запаздывания уменьшения В при уменьшении Н. График петли гистерезиса представлен на рисунке 2.
Рисунок 2. Петля магнитного гистерезиса.
Потери мощности в магнитных материалах связаны с потерями
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.