Выбрать и обосновать применение конкретных электронных приборов СВЧ в различных схемах, страница 3

   Ж). Гетеродин 1 (малошумящий генератор, работающий на фиксированной частоте.).

Прибор	ЛБВО	ЛБВМ	Туннель-ный диод	Бип-ый транзистор	Полевой транзистор	ЛПД
Pвых- мала	-	-	+++	+++	+++	+++
sf	++	++	+++	++	++	+
Uпит-низк	-	-	+++	+++	+++	+++
Слож.констр	-	-	++	++	++	++
Размеры	-	-	+++	+++	+++	+++

В качестве гетеродина 1 предлагаю использовать биполярный транзистор, обладающий низким уровнем собственных шумов, небольшой выходной мощностью

(а т.ж. небольшой стоимостью).

2.2. СИСТЕМА СВЯЗИ ( ЧМ )

2.2.1. Работа схемы

Маломощный сигнал поступает на умножитель частоты (может быть многокаскадным ) и через усилитель мощности ( УМ ) передается на антенну. ЧМ реализуется в одном из каскадов передатчика. Принятый сигнал через малошумящий усилитель ( МШУ ) поступает на смеситель и на усилитель промежуточной частоты   ( УПЧ ), с которого через смеситель поступает абоненту или на отображающее устройство.

2.2.2. Требования к узлам схемы

1 Возбудитель ( маломощный генератор) работающий на фиксированной частоте )

- жесткие требования к спектру ( к амплитудным и частотным шумам, к гармоникам

- Р_вых мала

-  к КПД жесткие требования не предъявляются.

3. Усилитель мощности ( УМ )

- Р_вых в соответствии с заданием

- чем выше Р_вых тем больше должны быть К_р и КПД

-  к К_ш жесткие требования не предъявляются.

6. Усилитель промежуточной частоты ( УПЧ )1

- К_р сравнительно высокий

- K_ш сравнительно низкий

- полоса пропускания < df > не менее 20 МГц

_-  рабочая частота f_пч1=f_раб-f_г1

- к Р_вых , КПД и АX жесткие требования не предъявляются.

8. Малошумящий усилитель ( МШУ )

- низкий К_ш

- полоса пропускания не менее 20 МГц

- большой К_р и Р_вых  не требуется

-  к КПД и виду АХ жесткие требования не предъявляются.

9. Гетеродин 2 ( маломощный генератор )

- к _f  тре6ования жесткие

- к КПД и К_р жесткие требования не предъявляются.

10. Гетеродин 1 ( требовании, аналогичные гетеродину 2 ).

 2.2.3. Задание.

f_раб=100 ГГц, Р_вых=0,3 кВт, f_в=10 ГГц, f_ПЧ=1,0 ГГц.

2.2.4. Таблицы сравнения составных элементов схемы.

A). Возбудитель.

Прибор	ЛБВО	ЛБВМ	Туннель-ный диод	Бип-ный транзистор	Полевой транзистор	ЛПД
Pвых-мала	-	-	+	+	++	+
sf	++	++	++	++	++	+
Kш	+++	-	++	+	+++	+
КПД	+++	+++	+	+++	+++	+++
Uпит-низк	-	-	+++	+++	+++	+++
F, 10 ГГц	+++	+++	+++	+++	+++	+++
Габариты	+	-	++	++	++	++
Масса	+	-	++	++	++	++

Я выбрал возбудитель на полевом транзисторе т.к. он, по моему мнению, наиболее подходит по параметрам чем другие элементы (это видно из таблицы сравнения). Он обладает небольшой массой и габаритами, имеет низкое напряжение питания, а т.ж. удобен при сопряжении с интегральными микросхемами.

Б). Усилитель мощности.

Прибор	ЛБВО	ЛБВМ		Бип-ный транзистор	Полевой транзистор	ЛПД
Pвых	+++	+++		+	-	+
F, 100ГГц	-	-		-	-	+++
КПД–высок	+++	+++		+	+	+
Габариты	+	+		+++	+++	+++
Масса	+		+	+++	+++		+++