Разработка радоипередающего устройства для связи с метоестанциями. Техническое задание, структурная схема, страница 3

 

Амплитуда первой гармоники коллекторного тока:

 

Высота импульса тока коллектора:

 

Постоянный ток коллектора:

 

Необходимо выполнение условий:

Оба условия выполняются – токи не превышают максимально допустимых для данного транзистора.

Мощность, отдаваемая источником питания:

 

Мощность, рассеиваемая на коллекторе:

Условие

;

23,548 Вт < 75 Вт выполняется.

Коэффициент полезного действия:

  

Эквивалентное сопротивление нагрузки:

 

Расчет добавочного сопротивления в цепи базы:

 

Вспомогательные величины:

 

 

Амплитуда первой гармоники тока базы:

 

Обратное напряжение на базе:

 

Необходимо чтобы обратное напряжение на базе не превышало допустимое:

.

Данное условие не выполняется, следовательно,  необходимо рассчитать из условия максимально допустимого напряжения на базе:

 

  

Напряжение смещения на базе:

 

Постоянная составляющая тока базы:

 

Постоянная составляющая тока эмиттера:

 

Сопротивление базовой области транзистора:

 

Активная составляющая коллекторной емкости:

 

Управляющее сопротивление цепи эмиттера:

 

Вспомогательная величина:

 

Входные сопротивления:

 

Входная мощность возбуждения:

 

Коэффициент усиления по мощности:

 

Расчет цепи питания базы:

Крутизна коллекторного тока:

 

Сопротивление в цепи эмиттера:

 

Блокировочная емкость в цепи эмиттера:

 

Для определения схемы питания базы необходимо определить отрицательное смещение создаваемое током базы и добавочным сопротивлением, а также эмиттерной цепью:

 

Полученное смещение меньше по абсолютному значению необходимого. Следовательно, необходимо поставить в цепь базы по постоянному току сопротивление, которое будет создавать требуемое отрицательное смещение:

Блокировочная емкость:

Разделительная емкость в цепи коллектора:

 

 

Блокировочная емкость:

 

Блокировочная индуктивность:

 

 

5.2 Расчёт выходной цепи

Уровень внеполосного излучения:

Коэффициент бегущей волны:

Требуемый коэффициент фильтрации:

Средняя частота:

Ненагруженная добротность:

Нагруженная добротность:

Сопротивление нагрузки фильтра:

Среднее сопротивление:

 

Реактивные сопротивления и номиналы элементов:

               

                

               

                

                       

                

                    

                          

                   

                          

Расчет элементов настройки:

Сопротивление антенны на верхней частоте:

 

Сопротивления и номиналы настроечных элементов:

                    

             

                   

             

    

                      

    

                      

Реактивное сопротивление настроечной цепи и антенны для второй гармоники:

Модуль сопротивления настроечной цепи и антенны:

 

Коэффициент фильтрации:

 

 

Полученный коэффициент фильтрации больше требуемого.

5.3 Расчёт ГУН.

Средняя частота ГУН:

 

Выбор транзистора производится из условия:

Данному требованию отвечает транзистор 1Т330Б:

Максимальная мощность рассеиваемая коллектором:

Импульсный максимальный ток коллектора:

Частота единичного усиления по току:

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:

Коэффициент усиления по току:

Барьерная ёмкость коллекторного перехода:

Постоянная времени цепи обратной связи:

Высота импульса коллекторного тока находится из условия:

 

Напряжение питания коллекторной цепи:

 

Параметр регенерации:

Угол отсечки

.

Амплитуда первой гармоники коллекторного тока:

 

Амплитуда постоянной составляющей коллекторного тока:

 

Сопротивление базовой области:

 

Входное сопротивление:

Крутизна коллекторного тока:

 

Амплитуда коллекторного напряжения:

 

Эквивалентное сопротивление нагрузки:

 

Расчёт ,,: